다이오드의 종류와 특성

목차

01 Diode 분류
02 다이오드의 특성

본문내용

금속과 n형 반도체를 접촉시켰을 때 발생하는 전위의 장벽(0.4~0.5 V)을 이용해 고속동작이 가능하도록 만든 Diode
특성 :
VF(Voltage forward, 순방향 전압강하가 낮음
턴온전압)
- 일반 다이오드(P-N 접합) : 0.6~0.7 V
- Schottky diode(Schottky barrier) : 0.2~0.3 V

→ 전력손실을 최소화 하면서 고속 동작을 할 수 있게 만들어짐

<중 략>

P-N junction 의 중간부분에 intrinsic 영역(P,N 성분이 거의 없는 진성반도체 영역)을 넣은 것임

특성 :
순방향 저항 Rf, Bias 전압에 따라 같이 변화
역방향 저항 Rr은 아주 큼
역Bias에서 Capacitance Cd 성분이 전압에 따라 가변

App : RF 회로, 광

참고 자료

없음