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[결과]트랜지스터컬렉터특성실험

하찮은
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최초 등록일
2012.04.28
최종 저작일
2010.04
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소개글

전자회로,전자회로실험,전자회로실험예비레포트,전자회로실험결과레포트

목차

없음

본문내용

(1)실험에서 얻은 Vce-Ic 특성 곡선과 규격표에 표시된 2N3904의 특성곡선을 비교하여보고 차이점이 있으면 설명하라.
-실제로 보면 그래프의 끝 부분이 일자로 평행한 곡선으로 되어있는데 실제 실험을 한 경우 전압을 주었을 때 점점 더 올라가는 모양이 나온다. 이것은 다이오드와 마찬가지로 트랜지스터 있는 자체 저항, 전압 때문인 것 같다.
(2)Ib 및 Vce의 변화를 각각 설명하라.
-Ib가 낮을때는 Vce의 전압을 걸어주어도 흐르는 전류가 낮고 Ib를 높여주면 Vce에 전압이 Ib가 낮을때보다 더 많이 흐른다.
(3)트랜지스터를 보통 전류제어소자라 하는데 실험을 통해 이유를 설명하라
-일반 트랜지스터는 베이스전류에 의해서 증폭작용을 하고 FET(전계효과 트랜지스터)는 게이트(일반 트랜지스터의 베이스에 해당)전압에 의해서 제어되기 때문입니다. 동작특성은 진공관과 같습니다.
위의 그래프를 보면 Ib에 흐르는 전류를 낮게 해주었는데도 흐르는 Ic전류가 수십배 뻥튀기 되어서 나오기 때문이다.

참고 자료

없음

자료후기(1)

하찮은
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