10주차_8장_예비보고서_쌍극성 접합 트랜지스터 특성

목차

1. 실험개요
2. 실험에 필요한 이론적 배경
3. 실험 회로도 및 시뮬레이션 결과
4. 본 실험 방법 및 유의점
5. 참고문헌

본문내용

 실험목적
- 현재 전자회로 과목에서 배우고 있는 BJT 회로의 원리를 실험을 통해 더욱 이해를 높이려고 한다.

실험목표
- DMM을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn,pnp)단자, 재료를 결정한다.
- 커브 트래이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.
- 트랜지스터의 α 와 β 값을 결정한다.

 실험에 필요한 이론적 배경
- BJT : 기본적으로 2개의 p-n 접합의 결합으로 구성되고, n 또는 p 영역이 2개의 p-n 접합에 공통되는 p-n-p형의 트랜지스터 또는 n-p-n형의 트랜지스터.
전극은 이미터, 베이스, 컬렉터라고 한다. p-n-p형의 n 영역과 n-p-n형의 p 영역은 베이스 영역이라고 한다. 트랜지스터에 전압이 가해지면 한 p-n 접합은 순방향으로 바이어스되고, 다른 p-n 접합은 역방향으로 바이어스된다. 전류는 순방향으로 바이어스된 p-n 접합을 통해서 흐른다. 이때에 전자는 n형의 영역에서 베이스 영역으로 흘러 들어가고 정공(正孔)은 베이스 영역에서 n형의 영역으로 흘러 들어간다.
이 접합을 이미터-베이스 접합이라고 하는데, 이때에 이미터가 n형의 영역이다. 베이스로 들어가는 전자는 역방향으로 바이어스된 p-n 접합 쪽으로 확산된다. 일단 이들 전자가 이 p-n 접합의 공핍층에 들어가면 컬렉터가 있는 다른 n형의 영역으로 쓸려 들어가 이 전극의 최하 에너지대에 들어간다. 베이스 내의 정공이 베이스를 떠나 순방향으로 바이어스된 이미터-베이스 접합을 통해 이미터로 들어가고, 거기에서 이미터로부터 주입된 전자와 재결합함에 따라 베이스 내의 정공의 집중도는 떨어진다.
이 결과로 p-n 접합의 순방향 전압이 떨어져 전류가 정지될 수 있다. 만일 베이스 영역이 회로 내의 적절한 점에 접속되어 이미터-베이스 접합이 순방향으로 바이어스된 상태를 유지하면, 전자는 베이스 영역에서 흘러나와 정공의 집중을 유지하고, 따라서 전류는 컬렉터에서 이미터로(즉, 전자 흐름의 반대 방향으로) 계속 흐르게 된다.

참고 자료

전자회로실험1 제 10판
POT(3극 가변저항 - Potentiometer) 사용하기 : 네이버 블로그 (naver.com)