[반도체] 에피택셜성장

등록일 2002.09.13 MS 파워포인트 (ppt) | 15페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 개요
2 격자정합
3. LPE 액상에피택시
4. GaAs 기판에 AlGaAs 및 GaAs 성장
5. VPE 기상에피택시
6. 성장 리액터 개요도
7. si 결정 성장 개요도
8. MBE
9. MBE 결정성장

본문내용

에피택셜 성장 (epitaxial growth)
기판 웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술
고순도의 결정층을 형성하는 공정
웨이퍼보다 낮은 온도에서 성장

- CVD : 화학 기상 증착
- LPE : 용융액으로부터의 성장
- MBE : 진공에서의 원자의 증착

L P E 액상에피택시
Liquid Phase Epitaxy의 약자로 액상에피택시라고 합니다.

결정재료가 녹아 있는 포화용액을  기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것
 
1963년 Nelson에  의해 최초로  구현된 후,  주로 Si,  GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있습니다.
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