JFET의 직류 특성

소개글

JFET의 직류 특성
에이쁠 보고서입니다.

목차

1.실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
4. 결론

본문내용

1.실험의 이론
※JFET의 구조

BJT와 마찬가지로 FET 역시 3단자 소자이다. BJT가 2개의 pn 접합을 가지고 있는 것과 달리 ,이것은 기본적으로 게이트와 드레인-소스 채널 사이에 하나의 pn 접합을 가지 고 있다. 그림 1-1(a)의 n채널 JFET는 n-type 부분의 스트립과 그 스트립 양옆으로 확산된 2부분의 p-type 부분으로 구성되며, 그림 1-1(b)의 p 채널 JFET는 그와 반대로 p-type 부분의 스트립과 양쪽의 n 타입 부분으로 구성된다. 그 아래쪽 그림의(회로도(a)) 는 드레인-소스 전압 를 제공하고, 이것이 드레인으로부터 소스로 흐르는 드레인 전류 를 만들게 된다. 드레인 전류 는 소스 전류와 동일하며, 이것은 p 타입 게이트로 둘러싸인 채널 내에 존재한다. 게이트-소스 전압 는 와 같으며 채널 내에 공핍층을 만들어, 결국 채널의 두께를 감소시켜 드레인 소스 사이의 저항값을 증가시킨다. 게이트 소스 사이의 접합이 역 바이어스 되어 있으므로 게이트 전류는 0이 된다. 드레인-게이트 접합에서의 양전압은 pn 접합에 역 바이어스가 되어 공핍영역을 만들게 된다.

※n 채널 JFET에 대한 특성 곡선과 특성 곡선

왼쪽의 그림에서 볼 수 있는 것처럼를 증가시키면 드레인 전류 역시 증가한다.
가 더욱 증가되면 드레인 끝쪽에서 공핍영역이 전체 채널을 차단시키는 점에 도달하게 되어 드레인 전류는 포화점에 이르게 된다. 따라서를 이 이상으로 증가시켜도 는 일정한 값을 유지한다.
일 때 포화되는 드레인 전류값은

참고 자료

없음