전자회로실험 JFET의 특성 실험 예비레포트

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"전자회로실험 JFET의 특성 실험 예비레포트"에 대한 내용입니다.

1. 실험 목적

2. 실험 원리
(1) JFET의 구조 및 종류
(2) JFET의 기본동작
(3) JFET의 드레인 특성곡선
(4) V _{GS} 전압에 따른 드레인 특성곡선군
(5) V _{GS} 전압에 따른 드레인 특성곡선군

3. 시뮬레이션 과정 및 결과

4. 실험기기 및 부품

본문내용

1. 실험 목적

JFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성 곡선을 결정한다

2. 실험 원리

(1) JFET의 구조 및 종류

접합 전계효과 트랜지스터는 n채널이라 불리는 n형 반도체의 양쪽으로 2개의 p형 반도체를 확산시켜 게이트, 소스, 드레인 이라 불리는 3개 단자로 구성되어 있으며, 이를 n채널 JFET이라 한다
또한 p채널이라고 불리는 p형 반도체의 양쪽으로 2개의 n형 반도체를 확산시켜 게이트, 소스, 드레인 등의 3개 단자로 구성된 것을 p채널 JFET이라고 한다

한편, JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어 함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다
바이폴라 트랜지스터가 베이스 전류를 제어하여 컬렉터단의 전류를 증폭함으로써 컬렉터단의 전압 을 증폭하는 전류제어형 소자라는 것이 서로 다르다

(2) JFET의 기본동작

V _{GG}는 게이트와 소스 사이에 역방향으로 바이어스 되도록 전압을 인가하며 JFET는 항상 JFET는 항상 게이트-소스간 pn접합이 역방향으로 바이어스 된다
음의 게이트 전압을 갖는 게이트-소스간의 역방향 바이어스는 n채널에 공핍영역이 생기게 함으로써 채널의 저항을 증가시킨다

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없음

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