PECVD방법으로 형성한 W67N33/GaAs구조의 열적 특성

(주)코리아스칼라

최초 등록일: 2016.04.02
최종 저작일: 1993.10; 8페이지/ 어도비 PDF; 가격 4,000원

다운로드

장바구니

상세정보
자료후기 (0)
자료문의 (0)
판매자정보

* 본 문서는 배포용으로 복사 및 편집이 불가합니다.

서지정보

ㆍ발행기관 : 한국재료학회 ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 3권 / 5호
ㆍ저자명 : 이세정, 홍종성, 이창우, 이종무, 김용태, 민석기

한국어 초록

실리콘이 주입된 CaAs 기판위에 플라즈마 화학 증착법으로 자기정렬 gate구조의 Schottky contact을 형성하였다. 갈륨비소 소자 제조를 위하여 두께 1600Å의 턴스텐질화막을 350˚C에서 증착하여 750˚C에서 900˚C까지 급속 열처리 하였다. 텅스텐 질화막과 GaAs계면의 열적 안정성을 XRD(X-ray diffraction), PL(photoluminescence),ODLTS(optical deep livel transient spectroscopy)측정으로 조사하였으며, W보다 W67N33 gate를 형성시킬 경우에 GaAs에 미치는 열적손상이 적음을 알 수 있으며 이온 주입한 Si이온이 활성화 되는 것으로 생각된다. W67N33 GaAs 다이오드가 약 800-900˚C의 고온열처리 온도에서 W/GaAs 다이오드의 경우보다 열적 안정성이 우수하였다.

참고 자료

없음

"한국재료학회지"의 다른 논문

BaTiO3계 PTC 재료에서 입계 modifier의 역할9페이지

분극처리 전후의 Pb(Zr, Ti)O3 세라믹스의 파괴인성의 변화7페이지

SCM440, SCM415강의 표면강화에 따른 초음파의 전파특성8페이지

액상교반법에 의한 AI/TiCp 복합재료의 제조에 관한 연구(I)9페이지

니켈-흑연 복합분말의 니켈코팅층에 미치는 코팅 촉매제의 영향8페이지

더보기 (5/10)

판매자 정보

코리아스칼라는 정직과 신뢰를 기반으로 학술단체 발전에 도움을 드리고자 하는 기업입니다. 본 사는 본 사가 자체 개발한 솔루션을 통하여 보다 효율적인 업무 관리 뿐만 아니라, 학술지의 데이터베이스화, ARCHIVE를 돕습니다. 본 사의 One Stop Service를 통해 국제적인 학술단체로 함께 도약 할 수 있다고 믿습니다.

주의사항

환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류	중복자료	저작권 없음	설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우	다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함)	인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우	자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우