반도체 다이오드의 특성 레포트

소개글

반도체다이오드의 특성에 대해 정리하였습니다. 실험 예비보고서입니다. 점수는 물론 굿.

목차

1.제목

2.목적

3.이론

본문내용

(1) n형 반도체와 p형 반도체

반도체는 상온에서 도체와 부도체의 중간 정도의 전기전도도를 가지는 물질이다. 자연에는 여러 종류의 반도체가 존재하지만, 주기율표의 4족 원소로 이루어진 Si과 Ge이 가장 대표적인 반도체이다. 4족 원소는 4개의 가전자(valence electron)를 가지고 있는데, 한 원자는 4개의 가전자를 이웃하는 4개의 원자와 공유하는 공유결합(covalent bonding)하여 결정을 이루게 된다. 고유반도체(intrinsic semiconductor)에 적당한 불순물을 첨가하면 반도체의 전기전도도를 크게 증가시킬 수 있는데, 이렇게 불순물이 첨가된 반도체(extrinsic semiconductor)는 n형과 p형으로 나눌 수 있다.

(a) n형 반도체 (n-type semiconductor): 예를 들어 그림 1과 같이 4족 반도체인 Ge에 5족 원소인 Sb를 불순물로 넣었다고 하자. Ge 자리에 Sb가 들어가면 Sb의 5개의 가전자 중 4개는 주변 Ge 원자와 결합을 이루는데 사용되게 된다. 남은 하나의 전자는 쉽게 Sb를 벗어나 결정 내를 자유롭게 움직일 수 있는 자유전자(free electron)가 되고, Sb가 첨가된 Ge 결정의 전기전도도는 증가하게 된다. 이처럼 불순물이 여분의 (자유) 전자를 만드는 반도체를 n형 반도체라 하고, 전자를 주는 불순물을 주개(donor)라 부른다.

참고 자료

없음