박막재료의 표면처리 및 PR 제거
- 최초 등록일
- 2007.12.12
- 최종 저작일
- 2007.06
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소개글
공학 - 화공실험..
목차
실험제목
실험목적
실험내용
실험절차
실험이론
참고자료
본문내용
▶ 반도체란?
반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체물질이다. 일반적으로 많이 사용되는 것은 실리콘(4족 원소)의 결정에 불순물을 넣어서 만든다. 반도체를 이용해 집적회로를 만들어 증폭장치, 계산장치 등에 이용한다.
반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하고, 실온에서는 상당한 전도성을 지닌다. 물론 도체와는 차이가 있다. 절대 0도에서 차 있는 가장 윗부분의 전자 에너지 밴드가, 반도체의 경우에는 가득 차 있고, 도체의 경우에는 일부만 차 있다. 이에 반해 반도체와 부도체의 차이점은 임의적이다. 반도체는 에너지 띠간격(bandgap)이 충분히 작기 때문에, 실온에서 전자가 쉽게 전도띠(conduction band)로 올라갈 수 있다. 그에 반해, 부도체는 띠간격이 커서 전자가 전도띠로 잘 올라가지 못한다.
고체물리학에서, 반도체란 ‘절대 0도에서 가장 위의 가전자대(valence band, 원자가띠; 차 있는 전자 에너지 상태의 가장 위의 에너지 띠)가 완전히 차 있는 고체’로 정의된다. 다르게 말하자면, 전자의 페르미 에너지가 금지된 띠(forbidden bandgap)에 있는 것을 말한다. (절대 0도에서 전자 상태가 어느 수준까지만 차 있게 되는데, 이를 페르미 에너지, 혹은 페르미 준위라고 한다)
실온에서는 전자 분포가 조금 흐트러지는 현상이 발생한다. 물론 조금이긴 하지만, 무시할 수 없는 만큼의 전자가 에너지 띠간격을 넘어서 전도띠로 간다. 전도띠로 갈만큼 충분한 에너지를 가지고 있는 전자는 이웃하고 있는 원자와의 공유결합을 끊고, 자유롭게 이동할 수 있는
참고 자료
없음