전자회로실험 콜렉터 특성곡선과 직류해석 실험 (PSpice 첨부) 레포트

소개글

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목차

1. 실험목표

2. 관련이론
2.1 소개

3. 실험
3-1 실험부품
3-2 실험절차

4. PSpice 시뮬레이션 회로도
4-1. PSpice 시뮬레이션 결과

5. 데이터 시트

6. 실제 실험 결과
6-1. 트랜지스터 Base 및 Collector, Emitter 핀 찾는 법
6.2 실제 실험 과정 및 결과

7. 참고문헌

본문내용

⚫ 콜렉터 특성곡선 : IB의 여러 값에 대한 VCE의 변화에 따른 IC의 변화곡선. 회로에서 베이스 전류 IB를 매개변수로 하여 콜렉터 전류 IC와 콜렉터-에미터 양단전압 VCE와의 상관관계를 정량적으로 나타낸 곡선으로, 트랜지스터의 동작영역을 구분하는데 중요한 지표로 이용된다.
여러 가지 베이스 전류값을 기준으로 하여 IC와 VCE와의 그래프를 그리게 되면, 밑의 그림과 같은 콜렉터 특성곡선이 얻어진다.

• 위의 그림의 각 동작점을 세 구간으로 나누어보았다. 그것이 바로 그림에 나와있듯이, ‘Saturation Region', 'Active Region', 그리고 마지막 'Breakdown'이다.

① Saturation Region 첫부분
Saturation Region 첫부분에서는, VCC를 0으로 놓고, VBB를 적당한 값으로 설정하면, 베이스 루프 네에는 전류 IB1이 흐른다.

② Saturation Region 부분
Saturation Region 부분에서는, VBB는 고정된 값으로 놓고, VCC값을 0에서부터 조금씩 변화시키면서 컬렉터 전류 IC를 측정한다. 결과적으로 콜렉터 전류도 VCC의 값이 증가함에 따라 비례하여 점점 증가할 것이다. 이때 트랜지스터는 포화영역 즉, Saturation Region에서 동작한다고 정의하며, 트랜지스터가 포화되면, IB가 증가하더라도 IC는 더 이상 증가하지 못할 것이다.

③ Active Region 부분
Active Region 부분에서는, VCC를 계속 증가하더라도 콜렉터 전류 IC는 더 이상 증가하지 못하고 거의 일정한 값을 유지하는 양상을 보인다.

④ Breakdown 이후 부분
Breakdown 이후 부분에서는, VCC가 계속 증가하면 항복현상 즉, Breakdown 현상이 일어나, 과도한 역방향 전류가 순간적으로 흘러 트랜지스터 소자를 파괴하게 된다. 이 영역에서 트랜지스터를 동작시키게 되면 소자가 파괴되므로 VCE 값을 넘지 않는 범위에서 트랜지스터를 사용해야 한다.

• 이러한 내용을 바탕으로, IB와 VCE, IC의 관계를 예상해보도록 한다.
① IB를 일정하게 유지했을 때

참고 자료

전자회로실험 P.44~49
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/