JFET의 특성 예비 REPORT

저작시기 2016.03 |등록일 2016.06.26 한글파일한컴오피스 (hwp) | 10페이지 | 가격 2,000원
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목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험에 필요한 기본 지식
5. 실험절차 및 예상
6. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 제목
JFET의 특성

2. 실험 목적
․ 드레인 전류 Id에 관한 드레인-소스 사이의 전압 Vds의 영향을 결정한다.
․ Id에 관한 게이트-소스 사이의 역 바이어스 전압 Vgs의 영향을 결정한다.
․ JFET의 드레인 특성 곡선을 도시하고 특성 곡선의 특징을 알도록 한다.
․ Vds에 대한 Id-Vgs의 전달 곡선을 그린다.

3. 실험 장비 및 재료
· 전원 : 가변 dc 전원(2개)
· 계측기 : 전류계, 멀티미터
· 반도체 : 2SK30A(n channel JFET)
· 저항 : 1/4W 100Ω, 1KΩ 1%, 3.3KΩ, 9.0KΩ 1%, 10KΩ, 1MΩ
· 커패시터 : 10μF 25V
· 기타 : ON/OFF DIP 스위치(2개)

4. 실험에 필요한 기본 지식
· JFET의 구조 및 종류
접합 전계효과 트랜지스터(Junction Field Effect Transistor; JFET)는 채널의 전류를 제어 하기 위하여 역바이어스되는 접합으로 동작하는 전자소자로서 구조에 따라 n채널 또는 p채널로 나누어진다. 그림 1에 JFET의 두 가지 가능한 구조 및 기호를 도시하였으며 여기서 게이트(G)단은 내부적으로 서로 연결되어 있다.

● JFET의 기본동작
[그림2-2-2]는 JFET의 동작을 이해하기 위해 n채널 JFET에 바이어스 전압을 걸어준 것이다. VDD는 소스(S)에서의 전자들을 끌어당기기 위해 드레인(D)에 양의 전압을 인가한다.
VGG는 게이트와 소스사이에 역방향으로 바이어스 되도록 전압을 인가하며 JFET는 항상 게이트-소스간 pn접합이 역방향으로 바이어스 된다. 음의 게이트 전압을 갖는 게이트-소스간의 역방향 바이어스는 n채널에 공핍영역이 생기게 함으로써 채널의 저항을 증가시킨다.
다시 말해 채널의 폭은 게이트 전압을 변화시킴으로써 제어되고 그것에 의하여 드레인 전류 ID의 크기를 제어할 수 있다. 그림2(b)에서 VGG가 증가하면 공핍층이 넓어져서 상대적으로 채널의 폭이 좁아지고(채널저항 증가) 드레인 전류 ID는 감소한다.

참고 자료

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