[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습5 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서
- 최초 등록일
- 2022.03.30
- 최종 저작일
- 2021.04
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소개글
"[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습5 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로"에 대한 내용입니다.
목차
1.부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계
2.부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계
3.구동회로 측정함수발생기는, 예를 들어 5 Vpp square pulse를 선택하면, 부하가 50 Ω일 때 평균이 0 V이고 +2.5 V, -2.5 V의 펄스를 생성한다. 설계한 구동회로에 1 Hz, 5 Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야하는가?
4.MOSFET를 이용한 LED 구동회로
본문내용
※ 아래 회로와 같이 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (V_F=2 V, I_F=20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하려한다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse (duty=50%)이다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하려면 beta_forced (=beta_sat), V_CE(sat), 그리고 V_BE(sat)를 얼마로 설정해야하는가?
⇒일반적으로 사용하는 saturation모드일 때 BJT의 beta값은 beta _{sat} = {I _{C}} over {I _{B}} =10 이다.
R _{B}에 충분히 큰 전류 I _{B}가 흐르도록 V _{BB}를 인가하게 되면 BJT는 saturation모드로 동작하게 되며 충분히 큰 전류 I _{B}가 순방향 다이오드 BE로 흐르므로 V _{BE(sat)} CONG 0.8[V] 정도가 되고 BJT의 컬렉터와 에미터 사이에 걸리는 전압 V _{CE(sat)} CONG 0.2[V] 정도가 된다.
따라서 beta_forced =10, V _{BE(sat)} =0.8[V], V _{CE(sat)} =0.2[V]로 설정한다.
3.1 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계
(A) 그림 1에서 구동신호(VIN)가 5 V (High)일 때 LED에 2 V가 걸리고 20 mA가 흘러 LED가 ON이 되도록 I_B, I_E, I_C를 구한다.
⇒주어진 V_{F}, I_{F}값은 V _{F} =2V, I _{F} =20mA이다.
참고 자료
없음