[A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서5 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로

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3. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작할 때 : β_(forced(sat))=10,V_(CE(sat))=0.2V,V_BE(sat) =0.8V
3.1 (A)
I_D=I_E=20mA
I_B=I_E/(β_forced+1)=20/11=1.818mA
I_C= β_sat I_B=18.18mA
(B) LED에 2V가 걸린다∶V_F=V_E=2V
V_B=V_E+V_BE(sat) =2+0.8=2.8V
V_C=V_E+V_CE(sat) =2+0.2=2.2V
(C) R_1=(5-V_B)/I_B =(5-2.8)/1.818=1.21kΩ
R_2=(5-V_C)/I_C =(5-2.2)/18.18=154Ω
(D) BJT의 소비 전력∶1.1*I_C*V_CE(sat) =1.1*18.18*0.2=4mW
R_1 의 소비전력= 〖I_B〗^2 R_1=4mW

참고 자료

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