반도체 물성 과제요약(A+)

소개글

"반도체 물성 과제요약(A+)"에 대한 내용입니다.

목차

제 1장 서론
1.1 구성요소
1.2 CMOS란?

제 2장 본론
2.1 현실적 제한요소

본문내용

a) 의미
-pMOS , nMOS를 활용하여 제작 할 수 있는 상보적 회로로, 동작속도는 늦지만 전력소모가 적은 편이다.

b) 특징
- 복잡한 회로구성 이지만, 단일 MOS 소자에 의한 집적도가 높다.
- 전기장을 기반으로 Transister 동작이 행해진다.
- 잡음이 작고, 제조 공정이 간단한 편이다.

c) 공정 과정
- 트랜지스터는 반도체 8대 공정 프로세스에 의해 제작되며, 아래와 같이 진행된다.

1) 웨이퍼 – Si 로 구성되어 있으며, 특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 회로를 세긴다.
2) 산화공정 – 얇은 막을 증착하는 방법 중 하나로, 웨이퍼 표면 보호가 목적인 공정이다.

참고 자료

없음