Bipolar Junction Transistor 실험

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"Bipolar Junction Transistor 실험"에 대한 내용입니다.

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Ⅰ. Introduction & Purpose of the experiment
이번 실험의 목적은 Bipolar Junction Transistor (BJT)를 이용하여 class A, class C amplifier를 구현하고 amplifier의 여러 특성을 관찰하고, 다양한 값들을 구해보는 것이다. class A에서는 power gain과 efficiency를 계산해보고, class C에서는 resonant frequency(rf)와 quality factor Q를 구해보고 이론 값과 비교, 고찰해본다.

Ⅱ. Theory & Principle
1. Bipolar Junction Transistor (BJT)
transistor에는 두 가지의 다른 형태가 있는데 하나는 이극 접합 트랜지스터(BJT)이고 다른 하나는 전계 효과 트랜지스터(FET)이다. 이 두 가지 형태의 transistor는 동작 특성이나 내부 구조가 서로 다르다. 보통 BJT를 트랜지스터라 하고 전계효과 트랜지스터는 FET라 부른다.

참고 자료

기계전자공학 실험 매뉴얼
Electronic Principles 7th edition, Malvino
http://100.naver.com/
전자회로 / Albert Paul Malvino / 김능연
http://www.cyworld.com/skadkfl37/398537 - BJT 설명

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