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BJT I-V Characteristics 예비보고서

iziue
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최초 등록일
2021.05.19
최종 저작일
2020.11
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소개글

"BJT I-V Characteristics 예비보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. BJT 동작 원리
2. 참고 문헌 및 출처

본문내용

1. BJT 동작 원리
BJT는 위와 같은 모습을 가지며, Bipolar Junction Transistor의 약자로, 반도체 3개를 붙여서 만든 “전류증폭소자”이다. 일반적으로 트랜지스터를 가리킬 땐 BJT를 말한다.
BJT는 PNP형과 NPN형이 있으며, 베이스(B), 컬렉터(C), 에미터(E)의 3개의 전극을 가지고 있다.
BJT의 전류가 흐르는 원리에는 전자와 정공 둘다 기여를 하고 있다.

PNP형 BJT는 에미터, 컬렉터가 p타입, 베이스가 n타입이며, NPN형 BJT는 에미터, 컬렉터가 n타입, 베이스가 p타입이다.

다음과 같은 NPN형 BJT를 살펴보면, 올바른 동작을 위해서는 B-E에는 순방향 바이어스, B-C에 역방향 바이어스 전압을 걸어주어야 한다(forward active).

참고 자료

네이버 블로그(https://m.blog.naver.com/PostList.nhn?blogId=bhs2167)
정보통신기술용어해설(http://www.ktword.co.kr/index.php)
위키백과(https://ko.wikipedia.org/wiki/)
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