한양대 신소재공학부 반도체공정 특허발표자료

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출원인: 삼성전자주식회사 출원일자:2003.04.22. 발명자: 박기연 외 5명
출원번호:10-2003-0025533
반도체 소자 집적도 증가 - 단위면적당 큰 커패시턴스 요구 - 유전막 두께를 얇게 하거나, high k 재료를 유전막으로 이용하는 방법 등이 있음 - 하지만 유전만 두께 얇게 하면 leakage current 증가(한계가 있음), high k를 유전막으로 쓸 경우 폴리실리콘을 사용할 수 없음(폴리실리콘과 반응해서 산화됨=금속 실리케이트가 생성되면서 저유전층 생성) - 따라서 고유전막과 폴리실리콘 사이에 질화막을 deposition증착해야 함

La2O3는 유전율이 27, 1000K에서도 실리콘과 열적 안정성을 가지기 때문에 금속 산화물 유전막 재료로 사용되고 있음 - 지금까지는 증발이나 CVD로 La2O3 박막을 형성함 - 근데 증발법은 박막두께가 일정하지 못하고 CVD는 증착온도가 높아서 란탄 실리케이트가 만들어 질 수 있음=저유전층 생성 - 따라서 두께가 균일하고(단차 도포성) 저유전층이 만들어지지 않는 금속박막형성방법을 만들기 위해 발명함

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