광전도셀(CdS cell)에 가해진 빛의 세기에 따른 저항 변화

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 이론적 배경
4. 실험장비
5. 실험방법
6. 실험결과
7. 실험고찰
8. 결론
9. 참고자료

본문내용

1. 실험제목
광전도셀에 가해진 빛의 세기에 따른 저항 변화

2. 실험목적
광전도셀의 원리를 이해하고 광전도셀을 이용하여 광원과 CdS celll 사이의 거리에 따른 저항변화를 측정한다.

3. 이론적 배경
◆ 빛의 세기
특별히 감지기에 도달한 광자 또는 빛의 파동의 숫자를 뜻하며 빛강도라고도 한다. 밝은 물체는 강도가 세지만 필연적으로 에너지가 많은 것은 아니다. 광자의 에너지는 빛의 강도가 아닌 단지 파동의 파장 또는 진동수에 의존한다. 그러니까 X선의 광자들은 적외선의 광자보다 더 많은 에너지를 가진다.

◆ pn접합
접합의 일종으로서, 반도체의 내부에서 p형과 n형의 성질을 나타내는 두 영역 사이의 경계 또는 전이 부분. 여러 가지 중요한 기능을 수행할 수 있어서 많은 반도체 장치의 중심적 부분이 되어 있다.
첫째는 정류 작용인데 정류와 검파 다이오드를 준다. p형 영역에서 n형 영역쪽으로 전류가 흐르기 쉽고(순방향), 이 때 각 영역에서 상대 영역으로 소수 캐리어의 주입 작용이 있다. 이것은

참고 자료

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