[계측공학]전압 전류로의 변조변환(센서)

소개글

대학원세미나자료입니다.

목차

2.3.1 도전변조(導電 變調)
(1) 변위의 저항 변환
(2) 변형의 저항 변환
(3) 온도의 저항 변환
(4) 광전 변환

2.3.2 유전 변조(誘電 變調)
(1) 용량 변환
(2) 유전율의 변환

2.3.3 자기 변조(磁氣 變調)
(1) 자기 인덕턴스를 이용한 변환
(2) 상호 인덕턴스를 이용한 변환
(3) 자기 스트레인 효과를 이용한 변환
(4) 홀효과변환

2.3.4 빛으로의 변환
(1) 광파 간섭(optical interference)을 이용한 변환
(2) 광탄성을 이용한 변환
(3) 광ㆍ방사선의 흡수에 의한 변환

본문내용

2.3.1 도전변조(導電 變調)
(2) 변형의 저항 변환
스트레인 게이지 종류

접착형
선게이지 - 지름 0.025mm 정도의 저항 세선을 폴리에스테르(polyester)나 베이클라이트(bakelite)등의 얇은 기판에 붙임
박게이지 - 두께 5~10µm 정도의 어드밴드(advance)박을 기판에 붙여서 에칭(etching) 가공

비접착형
고정틀(frame)과 가동판에 설치되어 있는 핀 사이에 저항선을 설치한 것으로 가동판에 힘이 가해지면 2조의 저항선은 수축하고 다른 2조는 신장한다.

반도체 스트레인 게이지
실리콘(silicon), 게르마늄(germanium) 등의 단 결정은 가해지는 응력에 대하여 큰 저항 변화를 나타내는 피에조 저항 효과(piezo resistance effect)를 갖는다.

장점
- Strain Gauge 를 직접 Si-Diaphragm 위에 확산 시켜 제작하므로 접착이 필요없고 소형화가 가능하다.
- Hysteresis 가 거의 없다.
- 온도보상회로 및 신호제어 회로를 감압 Diaphragm 위에 직접 형성이 가능하다.
- 제품의 규격화가 용이하다.

ᆞ단점
- 온도 변화에 민감하므로 보상회로가 필수적 이고, 사용온도 범위가 좁다.
- 고압용으로 제작이 어렵다.

참고 자료

없음