전자회로실험8 MOSFET 기본 특성Ⅱ 결과보고서

소개글

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 결과 및 분석

본문내용

1. 실험 목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다.
이 시험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.
MOSFET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압 VDS에 대해 작은 전류 iD가 흐르는 저항으로 이해된다.
게이트의 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 태널의 “on” 저항 Ron이 감소한다,
CD4007에 내장된 n-, p-채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다.
실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

2. 실험 결과 및 분석
1) N-채널 MOSFET
값의 함수로 plot 한다. 이 때 작은 값에서는 저항이 매우 크므로 수 의 범위 값만을 표시하도록 Y-축의 크기를 조절한다.
의 함수로 plot 한다. 데이터를 연결하는 직선은 최적화 커브-핏팅(curve fitting)방법을 통해 직선을 얻으며 특히 값이 작은 영역을 중심으로 직선을 구한다.
직선구간에서 그 직선의 기울기(slope)를 구하고 직선이 x-축과 만나는 점(문턱접압)을 추출한다. 이론적으로 triode 영역의 “On"저항에 대한 표현은


의 관계가 있음을 유념하라.
직선의 기울기로부터 를 계산하고 이로부터 값을 계산하라. 이때 CD4007의 디자인은 을 사용하며, 의 값은 실험7에서 얻은 값을 사용한다.
전압이 큰 영역에서는 직선으로부터 멀어지는 이유를 설명하라.

참고 자료

없음