OP AMP(반전증폭기, 비반전증폭기)

소개글

OP AMP의 원리와 그 중에서 반전증폭기, 비반전증폭기에 대한 내용을 중점으로 다룸

목차

Object
Theory
Experiment
Results and Analysis

본문내용

Introduction
Experimental
Results and Analysis
University of Seoul Dept. Physics
Experimental
1)Inverting amplifier
신호발생기 출력 Vp-p 1[kHz]
교재를 따라 회로를 결선.
R1=10kΩ, R2=10kΩ,20kΩ,30kΩ 으로 바꾸면서 실험
2)Non-inverting amplifier
신호발생기 출력 Vp-p 1[kHz]
교재를 따라 회로를 결선.
R1=10kΩ, R2=10kΩ,20kΩ,30kΩ 으로 바꾸면서 실험
University of Seoul Dept. Physics
Outline




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silicon on insulator 기판에 psd 확산을 사용하여 아세닉과 인을 각각 다양한 어닐링 온도에서 도핑했을때, 제작된 접합에 관한 실험이다
때 아세닉이 더 얇고 좁게 도핑된다는걸 알았고 인에 비해 더 우수하다는 결과를 얻었다
아세닉의 접합 깊이는 27nm였고 어닐링 온도를 850~950로 변화 시켰을때 8.5nm까지 확산됨을 확인했다
게이트 길이는 90nm로 제작했다

solid phase diffusion기법으로 n+에 아세닉과 인을 각각 도핑시킨다. 그림에서 SOD에 해당하는 곳이다
SOI기판을 사용하였고 기판으로 n-type Si기판이다. 매몰산화층의 두께와 그 위의 실리콘 두께가 나타나 있다.
SOG라 함은 절연막으로 사용되어진 물질이다.
Spin on glass의 약자이고 평탄화를 위한 코팅에 쓰인다.
아세닉과 인을 도핑할때 n+에만 이온이 주입되도록 하기 위해 다른곳과 절연시켜주는

참고 자료

없음