Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 2001.06
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 11권 / 6호
ㆍ저자명 : 양희정, 홍성진, 조범석, 이원희, 이재갑
한국어 초록
O2plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식 식각을 조사하였다. 휘발성이 큰 Cu(hfac)2와 H2O를 탈착시키기 위하여 O2 Plasma를 이용한 Cu 박막의 산화와 생성된 Cu 산화막을 H(hfac)과의 반응으로 제거하는 공정으로 식각을 수행하였다. Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O2 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215˚C보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의 H (hfac)/O2 유량비는 1:1임을 확인하였다. Ti mask를 사용한 Cu Patterning은 유량비 1 : 1, 기판온도 250˚C에서 실시하였고, 30˚외 taper slope를 갖는 등방성 etching profile을 얻을 수 있었다. Taper angle을 갖는 Cu 건식 patterning은 고해상도의 대면적 thin film transistor liquid-crystal(TFT-LCDs)를 위래 필요한 것으로써 기판온도, RF power, 유량비를 조절한 one-step 공정으로부터 성공적으로 얻을 수 있었다.
참고 자료
없음
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