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"dry etching" 검색결과 21-40 / 445건

  • 워드파일 Microscale Patterning with Photolithography and Etching Processes_예비레포트
    Etch PR을 barrier mask로 웨이퍼에 불필요한 부분을 제거하는 과정. Dry etching과 wet ecthing이 있다. ... Dry etching은 진공 chamber에 gas를 공급하고 에너지를 가해 반응성과 에너지가 높은 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 활용한다. ... 습식 노광: 다른 노광 방식은 주로 렌즈와 웨이퍼 사이에 공기가 있는 dry 타입인데, 공기 대신 액체를 채운 wet 타입 방식. 굴절률을 높여 해상도를 높일 수 있다.
    리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.12
  • 워드파일 Microscale Patterning with Photolithography and Etching Processes_결과레포트
    Etchingdry etching과 wet etching이 있다. ... Dry etching은 진공 chamber에 gas를 공급하고 에너지를 가해 반응성과 에너지가 높은 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 활용한다. ... Wet etching Dry etcing 방법 화학적 반응 물리적 반응(플라스마) 장점 -저비용 -빠른 속도 -단순한 공정 -높은 정확도 -미세 패턴 형성 단점 -낮은 정확도 -화학물질
    리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.12
  • 파일확장자 반도체 실무면접 대비_반도체 공정 기초
    SiO2와 SiN 박막 특성 비교Sputtering의 원리Dry Etching 설비Bosch PorcessIsolation 방법에 대해 LOCOS 공정과 STI공정의 차이점Mask
    자기소개서 | 72페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.16
  • 워드파일 8대공정 요약
    etch보다는 dry etch가 확대되고 있습니다. dry etch시 균일도 유지와 etch rate, selectivity 등의 인자 요인을 조절하여 칩의 불량률을 낮추고, 수율을 ... dry etching이 있습니다. ... Dry etching은 wet etching에 비해 비용이 비싸고 까다로운 단점이 있으나, 최근에는 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 wet
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11
  • 워드파일 [고분자재료실험]ITO patterning 결과레포트
    etching을 의미하며 dry etching은 plasma를 이용한 모든 식각 공정을 포괄적으로 의미한다. ... Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etchingdry etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 ... Etching: PR의 보호를 받지 않는 곳을 etchant를 사용하여 제거한다. Stripping: etching과정에서 산화막을 보호하던 PR을 제거하는 공정.
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.21
  • 워드파일 외국계,대기업 합격 경력 기술서 , 이력서 입니다.
    Experience of Set up the New FAB Line and Machine and Unit Process(Cleaning & Dry Etching) 5. ... Etching Process Forth, recently I finished 3D Products Modeling in Korea machinery industry Promotion ... Capa activity and improve a part of Cleaning & Dry Etcher 6) Cost reduction of Chemical Consumption 3
    자기소개서 | 6페이지 | 6,000원 | 등록일 2023.08.20
  • 파일확장자 삼성전자 공정기술 자기소개서 작성 전 꼭 알아둬야할 정보 8가지
    삼성전자 공정기술 팀 세부 분류Photo, DIffusion, Ion Implation, Dry&Etching , Clean& CMP , Thin film (PECVD& Sputtering
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.11.12
  • 한글파일 삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료
    Wet 산화 Dry 산화 방식 Si에 H2O 노출 시켜서 SiO2 Si에 O2 노출시켜서 SiO2 장점 성장 속도 빠름 > 두꺼운 산화막 밀도, 강도, 절연성 높음 결함 거의 없이 ... 가열 한 공정당 한 웨이퍼를 복사열로 가열 장점 가성비(뜨루풋) 좋음 불순물 적음(적당한 외벽 온도) 단점 불순물 많음(뜨거운 외벽) 가성비(뜨루풋) 낮음 이용처 Wet 산화, Dry ... 단점 느림 Selectivity 낮음 가격 비쌈 수율 낮음 3um이하에서 사용 불가능 화학물질로 인한 오염 우려 +)ICP(Inductive Coupled Plasma)-RIE dry
    자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07
  • 한글파일 초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정
    Dry etching을 wet etching 대신 해준다. 3. ... 그 다음 패터닝은 dry etching이 aspect ratio를 키우기 가장 유리하므로 이 방법을 사용한다. lift off의 경우 discontinuity가 확실하게 만들어져야 ... Supercritical CO2 drying을 한다.
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
  • 파워포인트파일 반도체 7개공정 요약본
    식각 10 /18 습식 식각 (wet etch) 건식 식각 (Dry etch) 방법 화학적 반응 물리적 , 화학적 반응 환경 / 장비 대기 , Bath 진공 Chamber 장점 1) ... 의 입출입구 쪽 부분은 상대적으로 균일성이 떨어짐 Ellipsometer - 기판에 Laser 를 조사하여 산화막과 실리콘 표면 사이에 반사되어 돌아오는 속도를 비교해 두께 측정 Dry ... WAFER 제조 Edge Rouding Lapping Etch CMP 4 /18 1.
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.06
  • 파일확장자 삼성전자 면접 후기 - 19년 하반기(불합격), 20년 상반기(합격)
    플라즈마를 이용한 Dry etch에서 uniformity하지 않게 식각될 때 열전달 관점에서 해결해라
    자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.03.17 | 수정일 2021.10.15
  • 워드파일 PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작
    Dry etching: 플라즈마를 이용해 식각하며 물리.화학적 반응을 이용한다. ... NH4F는 etch rate를 HF에 비해 etch rate를 1/20 정도 늦춰주는 완충제 역할을 하면서 etching의 균일성을 높인다. ... 후 oxide strip까지 하면 아래 그림과 같이 나오기 때문이다. 2)SEM image를 보고 해당 이미지의 etching에 대해 설명 Wet etching으로 (100) si
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.03 | 수정일 2023.11.08
  • 한글파일 어머니를 찬양하는 시 영작
    In memories etched, forever near, Her presence lingers, crystal clear. ... With hands that soothed my every fear, And words that dried each silent tear.
    리포트 | 1페이지 | 500원 | 등록일 2024.01.28
  • 파워포인트파일 AFM(원리, 접촉모드, 비접촉모드, 탬핑모드)
    - 포토공정에서 형성된 (PR) 부분을 남겨두고 , 산화막의 나머지 부분을 제거하는 과정 ※ Etching 종류 건식 식각 (Dry etching) 식각공정 (Etching) 습식 ... 식각공정 ( Etching) 이란 ? ... 식각 (Wet etching) AFM Atomic Force Microscope ( 원자현미경 ) 나노 미터급 원자단위 측정 STM 의 가장 큰 결점인 전기적으로 부도체인 시료는 볼
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.09 | 수정일 2020.07.11
  • 파일확장자 기계공학응용실험-MEMS기초
    )과 플라즈마를 이용하는 건식에칭(dry etching)으로 대별할 수 있다. 3) Bulk Micromachiningmembrane, beams, bridges, cavity등 3D ... (e) 다음, 이 PR을 차단재로 아래 부분의 산화막층을 에칭(etching)한 후, PR을 제거하면 마스크의 상이 결국 산화막층의 상으로 마스크의 상과 같은 모양이 웨이퍼 위에 만들어진다 ... ), 질화층(silicon nitride), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 알루미늄 등이 주를 이루며, 식각으로는 화학액을 사용하는 습식에칭(wet etching
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.08.11
  • 한글파일 재료공학기초실험_광학현미경_저탄소강미세구조관찰
    [PDF] Wet etching VS Dry etching-식각용액을사용, 화학적 (www.cmplab.re.kr/board/pds/board_download.php? ... 이론적 배경 (1) Etching ? ... 결과 [ Gringing 마친 시편 ][ Etching 후 곧바로 시편 관찰 ][ 과 Etching 된 시편 관찰 ][ Etching 후 일주일 정도 경과 후 관찰 ] 4.
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.22
  • 한글파일 하이닉스 소자직무 합격자기소개서
    dry etch 후 선택비가 있는 wet etch를 하는 것이 옳다고 판단했습니다. ... 구멍이 제대로 뚫리지 않으면 소자가 작동하지 않아 특성을 평가할 수 없으므로 신중한 선택이 필요했습니다. dry etch만 단독으로 수행할 경우 기판이 손상될 위험이 있으므로 일부 ... 공정 중 ILD에 컨택트 홀을 뚫는 과정에서 조별로 Etch 방식과 시간을 선택해야 했습니다.
    자기소개서 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.05.25
  • 한글파일 반도체 기본 공정
    습식 식각(Wet Etch) ?건식 식각(Dry Etch) ?방법 화학적 반응 물리적, 화학적 반응? ?환경/장비 ?대기, Bath 진공 Chamber? ? ... 식각(Etching)? ... 식각속도(Etch Rate) 식각 속도는 일정시간동안 막이 얼마나 제거 됐는지를 의미한다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.06 | 수정일 2021.06.25
  • 한글파일 [재료과학실험]미세 조직 관찰 - 마그네슘
    이론상의 과정에서는 질산에서 etching을 할 경우에 1~2초간 빠르게 질산에 담군 뒤에 바로 알코올로 시편을 세척하면서 dry를 해주어야 했다. ... 1~2초간 빠르게 넣었다 뺀 후 즉시 alcohol로 시편을 세척시켜가면서 dry시켜주는 과정이다. ... 두 번째 etching의 경우 질산에서 빼내는 그 즉시 alcohol로 세척을 하여 시편 etching에 성공하였다. 광학현미경 SEM(sc희중당
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.29
  • 파워포인트파일 LG,삼성,외국계대기업합격한 어마한 PT자기소개서, 경력기술서 입니다 . 이거 하나면 끝입니다. 잘 참고 하시면됩니다.
    ) : Recipe 최적화 진행 (3) Dry Etcher  장비 Type 및 구조적 변경을 통한 Capa 15% 향상 ( GaN/SiO2 ) (1) 구조적 변경 : 장비 구조: ... Die Bonding Ceramic/Rubber Collet CI를 위한 이원화 적용  기존 대비 20% 비용 절감 효과 2) 신규 모델 공정 조건 Sch Wafer) (1) Dry ... Time 최적화 진행 ⓐ Single Nozzle  Dual Nozzle ⓑ Chemical Heating 적용 ( Chemical/DI 모두 ) ⓒ Chamber(Process/Dry
    자기소개서 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.03.22 | 수정일 2023.02.09
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