Microscale Patterning with Photolithography and Etching Processes_결과레포트

목차

1. Results
2. Discussion
3. Summary

본문내용

Discussion
Discuss the working principle of photolithography and wet etching

Resolution
Resolution이 작을수록 더 미세한 패턴을 만들 수 있다. Resolution은 Rayleigh relation에 의해 결정되는데 Resoluoin= kλ/NA이다. 이 식에 따르면 파장이 짧고 NA(Numerical Aperture)이 클수록 더 미세한 패턴을 만들 수 있다. 빛은 마스크를 통과하면서 파장보다 좁은 슬릿을 통과하면 회절을 일으키므로 파장이 짧을수록 미세한 패턴을 만드는 데 유리하다. NA는 렌즈가 회절하는 빛을 모아주는 능력을 나타내고, NA가 클수록 회절하는 빛을 더 잘 모아준다. NA는 렌즈의 직경이 클수록, 렌즈와 웨이퍼 사이의 간격이 작을수록 커진다. 또한 DOF(Depth of Focus)는 wafer에 패턴의 상이 선명하게 맺히는 범위이다. DOF는 kλ/〖NA〗^2 에 의해 결정되고, DOF가 클수록 상이 선명하게 맺히는 범위가 커지므로 유리하다.

참고 자료

없음