CVD로 성장시킨 실리콘 나노와이어의 분석

소개글

Si 나노와이어를 글래스 기판에서 Au 촉매를 이용하여 CVD로 성장하였다.
특성분석의 이해를 돕기 위해 ZnO 나노와이어 시편과 비교하였음.
기체에서 액체, 고체가 되는 메커니즘 기술되어있음.

목차

Abstract
1. 나노와이어
2. 실험 방법
3. 나노와이어 생성 메커니즘
4. 실험결과
4.1 XRD
4.2 SEM
4.2.1 Si 나노와이어
4.2.2 ZnO 나노와이어
5. 참고문헌

본문내용

Abstract
실리콘 기판에 Au를 촉매로 하여 thermal CVD를 이용하여 나노와이어를 성장시키고 광학현미경, XRD(X-ray diffractor), SEM(Secondary Electron Microscope)등의 장비를 이용하여 성장된 나노와이어의 특성을 분석해 본다. Si 나노와이어의 특성의 이해를 위해 그 성향이 매우 다른 ZnO 나노와이어와 데이터를 비교하여 본다.
keyword 나노 입자, 나노와이어, Au촉매, CVD, 등방성,
1. 나노와이어
최근 들어 일차원 나노구조체(나노와이어, 나노벨트, 나노튜브, 나노로드, 나노팁 등)가 그 독특한 물리적 성질에 기초한 전자 및 광학 나노소자로의 다양한 응용성으로 인해 많은 각광을 받고 있다. SnO2, GaN, ZnO 및 CdTe와 같은 반도체 재료의 일차원 나노구조체의 경우 저차원 양자구조효과에 의한 뛰어난 전기적 및 광학적 특성으로 인해 발광소자, 태양전지, 압전소자 및 화학 센서 소자로의 응용성이 높아 상당한 이목이 집중되고 있으며 그에 따른 여러 연구 결과물들이 도출되고 있는 상황이다. 나노구조체중 특히 나노와이어는 size effect에 의한 뛰어난 물성과 용이한 합성법으로 인하여 다양한 일차원 나노구조체 중에서도 가장 많은 관심과 주목을 받고 있다.
실리콘 나노와이어의 가장 큰 장점은 그 구조적 특성을 쉽게 변화시킬 수 있다는 데에 있다. 응용 분야에 따라서 실리콘 나노와이어는 다양한 지름을 가질 수 있으며, 비정질 혹은 결정질 상태로 합성이 가능하다. 뛰어난 종횡비(aspect ratio) 덕분에 전자의 방출과 관련된 응용 범위에서 대체로 효율적인 재료로 알려져 있는데, 특히 비정질 비정질 타입의 나노와이어가 결정질 나노와이어보다 더 효율적인 것으로 보고되고 있다.

참고 자료

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