전자회로 실험 예비리포트 (정궤환 회로)

소개글

1. 정궤환 회로

이론 (피스파이스 사진 첨부)
슈미트 트리거 회로
반전 회로, 비반전 회로

사각파 발생회로

실험1.슈미트 트리거 회로
(시뮬레이션, 피스파이스 또는 워크밴치 캡쳐 사진 모두 첨부)
오실로 스코프 파형 첨부 및 분석

실험2.사각파 발생회로
(시뮬레이션, 피스파이스 또는 워크밴치 캡쳐 사진 모두 첨부)
오실로 스코프 파형 첨부 및 분석

목차

1. 정궤환 회로

이론 (피스파이스 사진 첨부)
슈미트 트리거 회로
반전 회로, 비반전 회로

사각파 발생회로

실험1.슈미트 트리거 회로
(시뮬레이션, 피스파이스 또는 워크밴치 캡쳐 사진 모두 첨부)
오실로 스코프 파형 첨부 및 분석

실험2.사각파 발생회로
(시뮬레이션, 피스파이스 또는 워크밴치 캡쳐 사진 모두 첨부)
오실로 스코프 파형 첨부 및 분석

본문내용

실험 4. 정궤환 회로
◎목 적
연산증폭기를 사용한 정궤환 회로를 구성하여, 슈미트 트리거회로의 특성을 관찰하고, 이를 이용한 사각파 발생기를 구성하여 실험한다.

◎ 이 론

1) 슈미트 트리거 회로
반전구성을 통한 슈미트 트리거 회로는 다음 그림과 같이 구성되어 진다. vI가 0V부터 증가하면 vI가 v+에 해당하는 값에 도달할 때까지는 아무일도 일어나지 않는다. vI가 이 값을 초과하기 시작할 때, 마이너스 전압이 연산 증폭기의 입력단자들 사이에 나타날 것이다. 이에 따라 vo는 마이너스로 갈 것이다. 전압 분배기가 v+를 마이너스로 가게 할 것이고, 이에 따라 연산증폭기에 가해지는 정미의 마이너스 입력이 증가할 것이고 과정이 계속 진행될 것이다.
이로써 vI를 더 이상 증가시켜도 이 쌍안정 회로의 획득된 상태에는 아무런 영향을 미치지 않는다는 것을 알 수 있다. 다음 그림은 vI를 증가시켰을 때의 전달특성이다. 여기서 VTH는 βL+로 문턱전압이다.
는 나의 두 가지 값 중 하나를 가지게 되고 입력 단자를 향하는 전류는 0이 된다. 가 된다. 따라서 이므로 +값은 가 되고 -값은 이 된다. 입력 전압 가 를 넘어가면 반전 슈미트 트리거 회로 이므로 - 출력이 나오고, 이는 보다 작아질 때까지 유지되다가 작아지면 값이 출력된다. 이렇듯 이러한 슈미트 트리거 회로는 입력 값의 변화에 민감하지 않은 출력을 생성 시킨다.

2)사각파 발생회로
사각파 발생회로는 다음 그림과 같이 구성되어 있다. 회로의 출력이 L+에 있다고 가정하자. 커패시터 C는 저항 R을 통해 이 레벨까지 충전할 것이다. 따라서, 커패시터 C에 걸리는 전압은 τ = CR의 시정수로 L+를 향해 지수적으로 상승할 것이다. 여기서 이 C에 걸리는 전압이 연산증폭기의 마이너스 입력 단자에 인가되고, 그림에서 v-이다.

참고 자료

없음