에미터 접지 증폭기
- 최초 등록일
- 2008.06.12
- 최종 저작일
- 2007.09
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소개글
전자실험 에미터접지증폭기에 대한 리포트입니다
그림이나 실험방법의 회로도는 직접 비지오라는 프로그램으로
직접 그렸고, 참고문헌을 참고로하여 완성하였습니다
목차
Ⅰ.실험목적
Ⅱ.관련이론
1.교류증폭기로써 트랜지스터
2. 바이어스 방법과 안정화
3.에미터 바이어스 커패시터
4.분압기 바이어스
5. 전압이득
6.입력 임피던스
7.출력 임피던스
8.전력 이득
Ⅲ.실험기기 및 부품
Ⅳ.실험방법
※참고문헌
본문내용
Ⅰ.실험목적
1. 에미터 접지 증폭기의 바이어스 회로를 이해한다.
2. 에미터 접지 증폭기의 전압 이득, 전류 이득, 입출력 임피던스 등을 구한다.
Ⅱ.관련이론
1.교류증폭기로써 트랜지스터
CE 회로에 접속된 트랜지스터의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다. 또한 컬렉터 전류의 증가는 베이스 전류의 증가보다 훨씬 더 컸다. CE 접속에서 트랜지스터의 전류 이득 β는 다음과 같이 정의되었다.
β가 얻어진 바이어스 조건은 다음과 같다.
1. 에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이고,
2. 컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스이다.
그림 1은 npn 트랜지스터 회로를 보여주고 있다. 여기서 는 에미터-베이스 사이의 순 바이어스 전원, 는 컬렉터-에미터 사이의 역 바이어스 전원이다. 입력신호 은 을 통해서 베이스에 연결되어 있고, 출력신호는 컬렉터에서 얻어진다. 은 베이스 바이어스 전류를 결정하며 이 베이스 전류 는 다음과 같다.
(그림1. 에미터 공동증폭기)
전류파형은 입력신호 전류가 베이스 전휴에 부가하여 베이스 전류를 증가시키거나 감소 시킨다. 인 경우 전류 변화 상태를 그림2에 나타내었다.
(그림2 베이스 전류와 컬렉터 전류의 변화)
2. 바이어스 방법과 안정화
증폭기는 의곡이 없는 증폭기를 얻는 것이 필요하다. 베이스는 입력신호가 트랜지스터의 선형 부분에서 동작하도록 적절히 바이어스가 되어야 한다.
그림 3에서 는 전원 를 이용한 에미터 공통 증폭기의 바이어스 방법을 나타내고 있다.
(그림3 공동전원을 이용한 공통 증폭기)
이 배열은 pnp 트랜지스터의 베이스와 컬렉터가 동시에 DC바이어스 전원을 공급 받을 수 있기 때문에 가능하다.
이 방법은 에미터 공통 증폭기의 실제적인 수단이 되지 못하며 사용되고 있지 않다. 그 이유는 증폭기의 안정도가 온도 변화에 크게 영향을 받기 때문이다. 더욱이 트랜지스터의 특성변화는 동작점을 변화시키며, 결국 이득과 안정도에 영향을 미쳐 열 폭주 현상의 발생으로 파괴될 수 있다.
참고 자료
전자회로실험 / 김경태,한익수 공저 / 청문각 / 2001.02.10
전자회로 7판 / Thomas L. Fliyd 지음 / 피어슨에듀케이션 코리아/ 2005.02.25
전자회로실험 / 류장렬 지음 / 보문당 / 2001.02.25