[디스플레이공학]포토리시스트와 마스크제조

소개글

반도체물성공학
반도체소자 제조과정중 포토리시스트와 마스크에 관한 자료입니다.

목차

- 포 토 리 시 스 트 -
1. 포토리시스트(Photo Resist)
2. PR의 구성
3. 음성 PR화학(Negative Photoresist Chemistry)
4. 양성PR화학(Positive Photoresist Chemistry)
5. PR기능에 영향을 주는 인자
6. 음성 및 양성 PR의 비교
7. PR의 보관과 취급
8. PR의 물리적 특성
- 마 스 크 제 작 -
1. Mask(reticle)의 구조
2. Mask 제작
3. Binary Intensity Mask
4. 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)

본문내용

- 포 토 리 시 스 트 -
1. 포토리시스트(Photo Resist)
PR은 빛이나 방사, 열 등 여러 형태의 에너지에 노출되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 혼합물이다. 반도체에 적용되는 PR의 구조 변화는 현상 가능에서 현상 불능 혹은 그 역으로 바꾸어진다. PR은 복사업계에서 쓰여왔는데, 1920년에 인쇄회로기판업계에서 먼저 응용하기 시작했다.

- 마 스 크 제 작 -
1. Mask(reticle)의 구조
2. Mask 제작
1) Blank Mask
Quartz위에 1000정도의 chrome층이 형성되어 있으며, 그 위에 resist가 coating 된다. 이때 resist coating thickness uniformity는 mask의 CD uniformity에 크게 영향을 미친다.
2) Writing
MEBES(electron beam), ALTA(laser)등의 장비로 CAD data를 mask위의 resist에 전사 하는 과정이다. 이 때 전사된 resist는 develop을 통해 형상화된다. 위의 두 writing 장비의 특징을 살펴보면, MEBES의 경우 resolution이 뛰어나지만 writing 시간이 길며, ALTA는 writing 시간이 짧고 defect 발생량이 적은 대신 resolution은 떨어진다.
3) Chrome Wet Etching
Develop후 생성된 resist 패턴을 막으로 하여 chrome을 wet etching한다. 패턴의 크기가 작은 경우에는 chrome을 dry etch하기도 한다.
4) Inspection / Cr repair
Resist strip 및 cleaning이 끝나면 defect를 찾고 이를 repair한다. Defect는 대부분의 경우 발생하며 이를 모두 제거할 수 있을 경우에만 실제 사용가능한mask가 만들어 진다.

참고 자료

없음