2주차 결과보고서 - 다이오드 기본특성

소개글

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목차

Ⅰ. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성
0. 이론
1. OrCAD Capture를 통한 실험 회로도
2. PSpice를 이용한 모의실험 결과
3. 0과 2의 비교
4. 구현 회로 사진
5. 실험결과
6. 0, 2, 5의 비교 분석

Ⅱ. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류 측정
0. 이론
1. OrCAD Capture를 통한 실험 회로도
2. PSpice를 이용한 모의실험 결과
3. 0과 2의 비교
4. 구현 회로 사진
5. 실험결과
6. 0, 2, 5의 비교 분석

Ⅲ. 게르마늄 다이오드의 V-I 특성
0. 이론
1. 구현 회로 사진
2. 실험결과
3. 0, 2, 5의 비교 분석

Ⅳ. 다이오드의 Turn-off 과도전류 특성
0. 이론
1. OrCAD Capture를 통한 실험 회로도
2. PSpice를 이용한 모의실험 결과
3. 0과 2의 비교
4. 구현 회로 사진
5. 실험결과
6. 0, 2, 5의 비교 분석

본문내용

0. 이론
진성반도체에 불순물을 첨가하는 것을 doping이라고 한다. 붕소와 같은 3가 불순물을 도핑하면 hole이 많아져서 p형 반도체가 되고, 안티몬과 같은 5가 불순물을 도핑하면 전자가 많아져 n형 반도체가 된다.

P형 반도체와 n형 반도체를 접합한 것을 pn 접합 다이오드라고 한다. 이는 접합부에서 n형 반도체의 전자가 p형 반도체로 넘어가면서 전하 반송자가 결핍되는 현상이 생기는데 이를 공핍이라고 한다. 공핍에 의해서 장벽전위가 발생하게 되며, 실리콘 다이오드의 장벽전위는 0.7V에서 생성된다고 알려져 있다.

순방향 바이어스란 PN반도체에서 p형 반도체의 외부 연결부인 Anode에 양극을 연결하고, n형 반도체의 외부 연결부인 Cathode에 음극을 연결해 전류를 흘리는 상태이다. 이렇게 하는 경우, 전압이 높아질수록 공핍층이 얇아진다. 전압이 일정 수준을 넘어서게 되면 다이오드의 Anode에서 Cathode방향으로 전류가 흐르게 된다.

1. OrCAD Capture를 통한 실험 회로도
다음과 같이 실험을 위한 회로를 구성하였다. 시뮬레이션으로 전압을 -200V부터 100V까지 1V 간격으로 증가시키며 측정하였다.

참고 자료

없음