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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트

키르키르시
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최초 등록일
2023.07.05
최종 저작일
2023.07
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소개글

"물리학및실험 기초회로실험"에 대한 내용입니다.

목차

Ⅰ. 실험제목
Ⅱ. 실험목적
Ⅲ. 관련이론
Ⅳ. 실험기구
Ⅴ. 실험방법
Ⅵ. 실험결과
Ⅶ. 분석 및 토의

본문내용

실험목적
: 저항의 양단에 인가되는 전압에 의한 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 Ohm’s law를 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류의 특성을 확인한다. 또한, 브레드보드를 기반으로 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로를 만들고 측정하여 Kirchhoff law의 법칙을 실험적으로 확인한다.

관련이론
A. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성)

1. 옴의 법칙:
전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR 로 표현되는 아주 간단한 공식이다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다.

2. 다이오드 특성:
다이오드는 반도체를 이용하여 만든 부품으로써 전류를 한쪽으로는 흐르게 하고 반대쪽으로는 흐르지 않게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 그러므로 다이오드의 전기저항은 한쪽 전류에 대해서는 매우 작지만, 다른 반대쪽 방향에 대해서는 매우 크다.

<중 략>

분석 및 토의
- 문턱전압 존재이유
우선, 문턱전압이란 트랜지스터가 전류를 흘릴 수 있게 되는 채널을 형성하기 위한 최소 전압입니다. 따라서 채널을 형성하기 위해서는 양단 전위차가 문턱 전압보다 높아야 합니다.
- 다이오드가 순 or 역방향 바이어스일 때 전류가 흐르거나 흐르지 않는 이유
순방향 바이어스: 외부 저압을 다이오드 공핍층에 생긴 built in potential 과 반대

참고 자료

일반물리학 실험(형설출판사)
키르키르시
판매자 유형Silver개인인증

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