조선대학교 A+ / 전기기초실험 레포트 과제

소개글

"[조선대학교 A+] 전기기초실험 레포트 과제"에 대한 내용입니다.

목차

1. 다이오드

2. 트랜지스터
1) NPN-트랜지스터의 동작원리
2) PNP-트랜지스터의 동작원리

3. 커패시터
1) 동작원리
2) 축전기의 종류

본문내용

1.다이오드

다이오드는 전류를 한쪽으로는 흐르게 하고 반대쪽으로는 흐르지 않게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 즉 단방향 소자이다. 따라서 다이오드의 전기 저항은 한쪽 방향의 전류에 대해서는 매우 작지만, 반대쪽 방향에 대해서는 매우 크다.

다이오드에서 전류가 잘 흐르는 방향을 순방향, 반대로 전류가 잘 흐르지 않는 방향을 역방향이라고 한다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류(alternating current, AC)를 직류(direct current, DC)로 변환하는데 쓴다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 가장 많이 쓰는 다이오드는 p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 가장 기본 단위가 된다.

전원 혹은 바이어스 전압이 연결되지 않은 상태에서 p-n 접합을 만들면,
접합부 근처에서 p형 반도체와 n형 반도체에 각각 존재하는 전하 운반자인 양공과 전자는 상대적 밀도 차이로 서로를 향해서 확산된다. 이렇게 각각의 전하 운반자가 확산하면 접합부 근처의 p형 반도체 쪽에는 (-) 전하를 띈 받개 이온, 이와는 반대로 n형 반도체 쪽에는 (+) 전하를 띈 주개이온이 남게 된다. 따라서 p-n 접합부 근처는 더이상 전기적으로 중성이 아니라 전하를 띄게 되므로 이 영역을 공간 전하 영역, 또는 전하 운반자가 결핍된 영역이어서 결핍 영역이라고 부른다. 이로 인하여 접합부 근처에 전위차가 생기는데, 이를 빌트인 퍼텐셜(built-in potential)이라고 부른다. 빌트인 퍼텐셜은 전하 운반자의 확산에 따라 점점 더 커지지만, 그 결과로 형성된 전기장 때문에 전하 운반자는 반대쪽으로 움직이게 된다.

참고 자료

없음