A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)

소개글

"A+맞은_전기전자기초실험2_건국대_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)"에 대한 내용입니다.

목차

1. EX2-1) 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성
2. EX2-2) 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류 측정
3. EX2-3) 게르마늄 다이오드의 V-I 특성
4. 2-4) 다이오드의 Turn-off 과도전류 특성

본문내용

※측정치
전류증가량이 선형적으로 증가하는 구간을 확인하기 위해 0.1V단위마다 전류증가치를 계산하고 증가치가 계속 같아지기 시작할 때를 그래프의 선형구간의 시작점, 즉 D1N914의 장벽전위라고 할 수 있다.
측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다.
※오차원인
회로에 흐르는 전류를 측정하고자 하는 경우 전류계는 회로와 직렬로 연결하게 되는데, 전류계의 내부저항도 고려하게 되면 합성저항이 커져(전류계 저항+100옴저항) 옴의법칙에 따라 전류측정치는 미세하게 작아지게 된다. 이를 고려하지 않은 PSpice를 이용한 모의실험값과 측정치에서 근소한 차이가 발생했을 것이다.
데이터시트의 장벽전위 측정시 온도는 섭씨 25도 였지만 PSpice측정시엔 섭씨27도였고, 실험실에서 측정했을 당시에 온도는 정확히 동일하지 않았을 수 있기 때문에 온도의 영향을 받는 p-n의 화학적 결합에 있어 오차의 원인이 될 수 있다.

참고 자료

없음