[반도체] 반도체 제조과정 및 제조 기술

목차

1. 반도체소자의 제조과정
2. 제조기술

본문내용

1. 반도체소자의 제조과정

반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 기본적으로 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.

1). 단결정성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시킨다.

2). 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소봉의 구경에 따라 결정되며 3인치, 4인치, 6인치, 8인치로 만들어지며 최근에는 12인치 대구경 웨이퍼로 기술이 발전하고 있다.

3). 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 형성한다

4). 회로설계
CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.

참고 자료

없음