P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서

소개글

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목차

1. 실험내용

2. 실험결과

3. 반도체식 가스 센서
1) 장점
2) 단점

4. DC Sputtering
1) 장점
2) 단점

5. VLS

6. 출처

본문내용

P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석

실험내용
1. 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시킨다.
2. n-type SnO2의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서특성을 측정한다.
3. 센서특성 향상을 위해 TeO2 나노선에 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험한다.
4. 합성된 나노선의 구조분석을 하기 위해 SEM 분석을 진행하여 TeO2 branch가 형성되는 것을 관찰한다.
5. TeO2 나노선이 형성된 SnO2 나노선의 가스 센서특성을 측정하고 이전 실험값과 비교한다.

실험결과
P-N junction을 통해 SnO2 나노선의 전자들이 TeO2 나노선으로 이동하고 전자의 수가 적어지게 된다.

참고 자료

Korea new ceramics
http://newcera.co.kr/ko/exp.html
blog, DC Sputtering과 RF sputtering, 2014.04.21.
https://m.blog.naver.com/PostView.naver?isHttpsRedirect=true&blogId=kpc3cc&logNo=150189153228
The Korean Vacuum Society, 바텀업 기반의 반도체 나노와이어 합성방법 및 응용소자 연구, 이원우 외 3인, 2016.09.30