다이오드 특성 및 반파정류회로 예비, 결과

소개글

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목차

1. 실험 개요
2. 실험원리 학습실
3. 시뮬레이션 학습실
4. 실험기기 및 부품
5. 실험방법
6. 실험 결과
7. Discussion

본문내용

1.1 실험 개요
반도체 다이오드의 전압과 전류 특성을 실험적으로 구하고, 다이오드 응용회로인 반파정류회로의 동작원리와 출력파형을 관찰하고 측정한다.

1.2 실험원리 학습실
1.2.1 다이오드 전압-전류 특성
다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉 (Metal Contacts)과 리드선이 연결된 소자로, 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 그림 1-1에 다이오드 구조와 회로 심벌을 도시하였으며, 다이오드 회로 심벌에서 화살표 방향으로만 전류가 흐를 수 있음에 유의한다.
여기서 잠깐
-n형 반도체: 순수한 실리콘 반도체에 5가(Pentavalent)의 불순물 원자를 첨가하여 5가 불순물 원자의 4개의 가전자가 실리콘 원자와 공유결합을 이루도록 하여 결과적으로 1개의 여분의 전자가 남게 된다. 이와 같이 인위적으로 전자가 과잉되도록 만든 반도체를 n형 반도체라고 한다.
-p형 반도체: 순수한 실리콘 반도체에 3가(Trivalent)의 불순물 원자를 첨가하여 3가 불순물 원자의 3개의 가전자가 실리콘 원자와 공유결합을 이루도록 하여 결과적으로 1개의 전자가 부족하게 된다. 전자가 부족한 상태를 정공(Hole)이라고 하며, 이와 같이 인위적으로 전자가 부족하도록 만든 반도체를 p형 반도체라고 한다.

참고 자료

없음