[일반물리학실험]Hall Effect
- 최초 등록일
- 2022.09.27
- 최종 저작일
- 2022.09
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소개글
"[일반물리학실험]Hall Effect"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 원리
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 토의 사항
본문내용
1. 실험 목적
가. 홀 효과를 이해하고, Ge로 도핑된 반도체에서 홀 효과에 의한 전기전도도를 조사해 본다.
2. 실험 이론 및 원리
가. 반도체
전기 전도도에 따른 물질의 분류로 반도체는 도체의 부도체의 중간 쯤에 해당하며, 반도체는 낮은 온도에서는 부도체처럼, 상온에서는 도체처럼 작용한다. 반도체와 도체의 차이점은, 반도체는 가장 끝 부분 전자 에너지 밴드가 절대영도(0K) 에서 가득 차 있고, 도체의 경우에는 일부만 차 있다. 반도체와 부도체의 차이는, 반도체는 에너지 띠간격(bandgap)이 충분히 작기 때문에, 실온에서 전자가 쉽게 전도띠(conduction band)로 올라갈 수 있다. 부도체는, 띠간격기 충분히 작지 못하기에, 전자가 이동하지 못한다.
1) 양공
반도체의 에너지 Band 구조이는 마치 양성자의 성질을 띄고 있는 무언가로 생각할수 있다. 오른쪽의 그림은 반도체의 구조를 대략적으로 보여준다.
참고 자료
없음