인하대학교 전자회로1 hspice 과제

소개글

인하대학교 전자회로1 hspice 과제
BJT, MOS, CSAMP 세가지 과제 모두 들어있음

목차

1. 전자회로1 BJT 설계 과제.docx
2. 전자회로1 CS AMP 설계과제.docx
3. 전자회로1 MOSFET 설계과제.docx

본문내용

3. 고찰
직접 2, 4, 6V일 때 구한 여러 전압, 전류값들과 회로를 설계해서 프로그램을 이용해 구한 값들과 서로 비슷한 결과를 보였지만 약간씩의 오차가 발생하였다. 그 이유는 아무리 β값이 큰 변화가 있어도 이론상 α은 거의 변화가 없고, 값을 구할 때 사용하는 것은 α값이라고 해도 어느정도의 오차는 발생할 수 있을것이다. (전류가 거의 마이크로 단위로 계산되어지기 때문에 조금의 변화도 오차를 불러 일으킬 수 있을것이다.)
또한 그래프에서 약 700mV 정도부터 Vc가 감소함을 알 수 있었는데, 700mV에서부터 EBJ가 순바이어스 되어지고, 활성모드에서 작동함을 확인할 수 있었다. 또한 약 입력전압이 4.5V~4.75V인 지점 정도에서부터 다시 Vc가 꺾여서 증가하는 것을 보아 포화모드에 진입했음을 알 수 있었다.

1. 증폭도 계산
input전압의 peak to peak가 0.02V이고 output전압의 peak to peak는 0.967V였다. 따라서 증폭도는 48.35라고 할 수 있다.

2. Resistor와 어떤 차이로 증폭이 차이나는지
일단 M3가 M2의 전류미러의 출력 트랜지스터이기 때문에 전류랑 I1을 유지시켜 준다는 것을 알 수 있고, 따라서 오른쪽 회로에도 I1에 해당하는 전류가 흐르게 된다. 또한 유한한 출력저항 r_03를 가지게 되고, 따라서 증폭기 등가 회로 모델로 만들었을 때 r_01과 병렬인 구조를 갖게 된다. 이때 gain A_v=-g_m3 (r_03 ||r_01)로 나타날 것 이기 때문에 앞의 회로와 다른 증폭이 나타나게 된다.

참고 자료

없음

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