(21년) 중앙대학교 전자전기공학부 전기회로설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답

소개글

"(21년) 중앙대학교 전자전기공학부 전기회로설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답"에 대한 내용입니다.

목차

1. 요약
2. 서론
3. 설계실습 결과
4. 결론

본문내용

요약: 시정수가 10μs인 RL회로를 구성하기 위해 10mH 인덕터와 가변저항을 준비하고 가변저항의 저항을 DMM을 통해 1KΩ에 가깝게 조절한다. FG의 설정을 주파수가 10 KHz, 크기가 0.5Vpp, Offset값이 0.25V인 사각파로 설정하고 조정한 가변저항과 인덕터, 오실로스코프로 이루어진 회로를 구성하고 FG의 출력을 인가해 오실로스코프에 나타나는 결과를 확인한다. 시정수의 이론값인 10μs에서 저항에 걸리는 전압은 0.656V로 오차 3.797%를 보였다. 이 오차는 FG에서 발생한 사각파가 정확히 1V가 아니기 때문에 발생한 오차였으며 또한 가변저항이 정확히 1KΩ이 아니라는 점, 인덕터의 인덕턴스를 정확히 모른다는 점도 생각해볼 수 있었다. 실제로 저항에 걸리는 전압이 0.632V가 되는 지점은 9.4μs인 것으로 확인되었다. RL회로에서는 RC회로에서와는 다르게 CH1, CH2 두 신호파형 모두 Offset값의 변화에 영향을 받았다. 이는 인덕터에는 커패시터의 DC 성분(저주파수)을 차단하는 특성이 없음을 보여준다. 반면 전압의 크기와는 무관하게 파형의 형태가 같음을 확인할 수 있었다. FG의 주파수를 오실로스코프 상에서 확인한 시정수 9.4μs를 주기로 하는 주파수 106.4 KHz로 바꾼 결과, 저항에 걸리는 전압신호(CH2)는 삼각파의 형태, 인덕터에 걸리는 전압신호(CH1-CH2)는 사각파에 근사한 형태를 띠고 있었는데 이 이유 또한 RC회로에서의 이유와 같이 인덕터가 완전히 충전되고 방전될 충분한 시간이 주어지지 않았기 때문이다.

참고 자료

없음