[고분자재료실험] ITO scribing & cleaning 결과레포트 (만점)

소개글

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목차

1. 실험목적

2. 실험배경

3. 실험내용
1) ITO 기판의 Scribing
2) ITO 기판의 전처리

4. 실험 결과 및 고찰

5. 토의 사항
1) RF Plasma와 UVO Cleaner의 기판 세정 원리에 대해서 토의해보자.
2) ITO glass에 묻어있는 particle, 유기물, 무기물 등은 어떠한 원리에 의해서 세정 되는지 토의해보자.

6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적
-OLED/PLED/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO glass를 원하는 크기로 자르는 방법을 습득한다.
-원하는 모양으로 자른 ITO glass의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.

2. 실험배경
Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 진행한다. 기판(Glass) 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 불순물의 종류는 크게 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막이 있다. 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정 된다. ITO의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성에 커다란 영향을 미치게 된다.
ITO 유리기판에 묻어있는 유분이나 particle을 제거하기 위하여 ITO glass를 알칼리 또는 중성세제를 사용하여 puddling이나 ultra sonic처리를 해준 다음 DI water로 세척하고 IR/UV광원을 조사시켜 고온에서 완전히 건조시킨다. ITO 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제해야 한다.

참고 자료

문두경, 고분자 재료실험 유인물
https://present5.com/si-wafer-cleaning-hyeongtag-jeon-division-of-materials/