기판 건식, 습식 클리닝 공정 정리

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목차

1. 기판 클리닝이란
2. 기판 클리닝 공정의 중요성
3. 표면에 생기는 오염물의 종류
4. 세정법 종류
5. 건식 클리닝 공정
6. 참고문헌

본문내용

1. 기판 클리닝이란
: 클리닝 공정 즉 세정 공정은 각 공정 후에 생기는 많은 오염물 또는 잔류물이 표면에 남게 되었을 때 이를 제거하는 공정이다. 현재 반도체 소자 제조 공정은 400단계 정도의 공정들을 지니는데 이 중 20% 이상은 웨이퍼의 오염을 막기 위한 세정공정과 표면 처리 공정으로 이루어져 있다. 반도체 소자 제조 공정에서 생기는 오염물들은 결과물의 구조적인 형상을 왜곡시키거나 전기적 특성을 저하시켜 성능과 신뢰성, 수율 측면에 큰 영향을 끼친다. 따라서 세정 공정 및 표면 처리 공정은 반드시 필요한 공정이다.
(웨이퍼 표면에 생기는 오염물들)

2. 기판 클리닝 공정의 중요성
반도체 소자가 초고집적화 되면서 제조 공정 수는 증가되며 각 공정 후에는 많은 잔류물 또는 오염물이 표면에 남게 되어 이것들을 제거하는 세정공정(cleaning process)의 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세다. 현재 반도체 소자 제조 공정은 약 400단계의 제조 공정을 가지고 있으며 이들 중 적어도 20% 이상의 공정이 웨이퍼의 오염을 막기 위한 세정공정과 표면 처리 공정으로 이루어져 있다 반도체 소자 제조 공정 중 발생하는 오염물은 소자의 구조적 형상의 왜곡과 전기적 특성(electrical characteristics)을 저하시킴으로써 그 소자의 성능, 신뢰성 및 수율 등에 특히 큰 영향을 미치기 때문에, 반드시 제거되어야 한다.

3. 표면에 생기는 오염물의 종류
: 오염물의 종류에는 크게 유기물질, 공중에 떠다니는 입자들, 금속 불순물, 자연 산화막, 마이크로 거칠기 등이 있다.
유기물질은 대기 중에서 오염된 카본이나 작업자, 물 등으로부터 오염된 유기물을 말하며 이로 인해 소자의 산화 특성이 변할 수 있다.
입자는 대기 중에 떠있는 먼지, 웨이퍼 기판에서 생기는 강한 정전기력으로 생기는 작은 입자 등이 있다. 이는 산화막 파괴를 줄이거나 pinhole에 결함으로 작용하는 역할을 한다.

참고 자료

반도체 공정에서의 세정기술의 소개-이원규(강원대 화공과)
습식세정공정(이원규, 강원대학교)
Dry Cleaning(이원규, 강원대학교)
Cleaning solution, cleaner-slideplayer