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목차
1. 실험날짜2. 예비이론
3. 출처
본문내용
- 실험날짜 : 2018년 10월 08일- 예비이론
• Metal Oxide를 이용한 ReRAM 종류 및 메커니즘, 그리고 다른 물질을 이용한 ReRAM과 비교하였을 때의 장단점
ReRAM 소자는 하부전극은 접지되고, 상부전극에 인가되는 바이어스를 조절하여 동작하게 된다. 소자의 동 작은 크게 셋과 리셋을 동작시킬 때 사용되는 전압의 극성에 따라 구분된다. 첫째, 그림 (a)와 같이 셋과 리셋 동작이 서로 반극성에서 동작 할 경우 이를 bipolar 동작이라 하며, 그림 (b)와 같이 셋과 리셋동작이 하나 의 극성에서 모두 이루어지면 이를 unipolar 동작이라 부른다. 그림5-(a)의 bipolar 동작은 ①네거티브바이어스 영역으로 (-) 전압이 인가될 때 초기전류는 낮은 값을 유지하다가 특정 임계전압이 될 때 급격하게 전류가 증가하게 된다. 이를 셋 동작이라 부르며, 저항의 상태가 고저항상태(HRS)에서 저저항상태(LRS)가 됨을 의미한다.
다음으로 ②와 같이 네거티브바이어스 영역에서 포지티브바이어스 영역으로 전압이 인가될 때 소자의 상태는 (+) 임계전압에 도달할 때까지 LRS 상태를 유지하게 된다. 하지만, ③과 같이 (+) 임계전압에 도달하게 되면 소자의 전류 값이 급격하게 감소하게 된다. 이를 리셋 동작이라 부르며, 저항의 상태가 저저항상태(LRS)에서 고저항상태(HRS)가 됨을 의미한다. 마지막 단계로 ④와 같이 소자는 ①의 셋 동작이 다시 발생하기 전까지 HRS 상태를 유지하게 된다. 이와 반대로 unipolar 동작은 그림5-(b)에서 보는 것과 같이 각각 한쪽의 극성에서 셋과 리셋 동작이 이루어짐을 볼 수 있다.
예를 들어, 포지티브 바이어스 영역에서 소자의 동작을 살펴보면, ①과 같이 인가전압이 증가될 때 임계전압이 될 때까지 고저항상태(HRS)를 유지하다가 임계전압에서 소자의 전류 값이 급격하게 증가되는 이 때 전류 값은 컴플라이언스 커렌트 값을 이용하여 제한을 둔다. 이를 셋 동작이라 부르며, 저항의 상태가 고저항 상태(HRS)에서 저저항 상태(LRS)가 됨을 의미한다. unipolar 동작에서 리셋 동작은 bipolar에서와는 다르게 ②같은 동일한 포지티브 바이어스 영역에서 컴플라이언스 커렌트 값을 조절함으로써 리셋동작이 가능하다.
참고 자료
Akinaga, Hiroyuki, and Hisashi Shima. "Resistive random access memory (ReRAM) based on metal oxides." Proceedings of the IEEE 98.12 (2010): 2237-2251.Wei, Zhiqiang, et al. "Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanism." Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International. IEEE, 2008.
Zhang, Sen, et al. "Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM." Journal of Physics D: Applied Physics 42.5 (2009): 055112.
Jiazhen Sheng, Hyun-Jun Jeong, Ki-Lim Han, TaeHyun Hong & Jin-Seong Park (2017) Review of recent advances in flexible oxide semiconductor thin-film transistors, Journal of Information Display, 18:4, 159-172
Nomura, Kenji, et al. "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors." Nature 432.7016 (2004): 488.
장광석, ‘Polyimide Gate Insulators for Solution-Processed Flexible Metal Oxide Thin-Film Transistors’ , Polymer Science and Technology Vol. 26, No. 3, June 2015, pp232-237
이가원, ‘산화물 박막 트렌지스터 기술’ IDEC news letter, pp4-pp6
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Science, 300, 1269 (2003).
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
Y. J. Chang, D. H. Lee, G. S. Herman and C. H. Chang, Electrochem. Solid-State Lett., 10, H135 (2007).
H. Y. Jung, Y. Kang, A. Y. Hwang, C. K. Lee, S. Han, D. H. Kim, J. U. Bae, W. S. Shin and J. K. Jeong, Sci. Rep., 4, 3765 (2014)
