12주차 MOSFET I-V Characteristics 예비보고서(ㅇㅎ대, A+족보)

소개글

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목차

1. 실험목적
2. 기초 내용
3. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 목적
실험을 통해 mosfet의 전기적 특성을 확인한다.

2. 기초 내용
1) MOSFET의 구조

Figure 1 [1, p. 285]
MOSFET은 Figure 1 과 같이 금속 전도성 판으로 이루어진 게이트와 도핑된 반도체 기판 사이에 산화물 절연체(유전체)가 끼어 있는 형태의 구조로 이루어져 있다. 산화물 절연체와 닿아 있는 반도체가 p형 반도체일 때, 전류가 흐르게 하기 위해, 전선을 p형 반도체에 직접 붙이지 않고 도핑 농도가 높은 n형 반도체를 통해 붙인다. 이 두 단자가 Source, Drain이다. 이러한 MOSFET을 NMOS라고 하며, n형 반도체 기판에 p형 반도체를 통해 전선을 붙인 것이 PMOS다.

참고 자료

B. Razavi, Fundamentals of Microelectronics, WILEY.