인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트
- 최초 등록일
- 2021.09.26
- 최종 저작일
- 2021.05
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소개글
"인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트"에 대한 내용입니다.
목차
1. 소개
2. 동작원리
3. 공정과정(Bulk FinFET)
4. SOI FinFET 공정방법과 비교 및 논의
5. 참고문헌
본문내용
1. 소개
일반적으로 트랜지스터의 크기를 줄일수록 성능이 증가하지만 기존의 트랜지스터인 MOSFET은 크기가 작아짐에 따라 gate length가 너무 작아져 발생하는 문제, 크기의 한계, 단채널 효과 등의 이유로 현대에는 트랜지스터의 크기를 줄이는 것에는 한계에 다다르고 있다. 그에 따라 차세대 트랜지스터의 필요성이 대두되었고 FinFET이 그 해결책으로 제시되고 있다. FinFET이란 상어지느러미 라는 뜻의 Fin과 FET(Field Effect Transistor)을 합친 용어로 인텔을 필두로 삼성전자 TSMC등이 도입중인 3차원 입체구조의 기술이다. MOSFET은 구조적으로 2차원적으로 한 면에만 전류가 흐르지만 FinFET은 앞면, 뒷면, 윗면까지 3차원적으로 입체적인 3개의 면을 통해 훨씬 많은 양의 전류를 흘릴 수 있다. 또한, MOSFET은 평면적으로 누설전류를 제어하여 누설전류가 크지만 FinFET은 3차원의 입체적으로 누설전류를 제어하므로 누설전류를 작게 만드는 효과를 기대할 수 있다.
참고 자료
이종호/3차원 반도체 소자인 벌크핀펫의 발전
Chi-Wen Liu, Chao-Hsiung Wang/ FINFET DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME(2014)
Ying-Yu Chen, Yu-Hsien Lin, Cheng-Chi Wang/ Comparison of bulk FinFET and SOI FinFET(2018)
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