응용전자전기실험 2학기 예비레포트 전체

목차

1. 응용전자전기실험2 예비레포트/15장 예비레포트.docx
2. 응용전자전기실험2 예비레포트/16장 예비레포트.docx
3. 응용전자전기실험2 예비레포트/17장 예비레포트.docx
4. 응용전자전기실험2 예비레포트/18장 예비레포트.docx
5. 응용전자전기실험2 예비레포트/19장 예비레포트.docx
6. 응용전자전기실험2 예비레포트/20장 예비레포트.docx
7. 응용전자전기실험2 예비레포트/21장 예비레포트.docx

본문내용

1.목적
① MOSFET을 이용한 소스 공통 증폭기의 소신호 컨덕턴스 - 드레인 전류의 관계를 배운다.
② MOSFET을 이용한 차동 증폭기의 소신호 공통모드 및 차동 모드 이득을 계산한다.
③ 높은 이득을 가진 연산 증폭기를 위해 능동소자로 구성된 전류원을 부하로 사용하는 차동 증폭기의 특성을 관찰한다.

2.이론
① MOSFET과 소스공통증폭기
-MOSFET : 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터. NMOS, PMOS로 나뉘며 GATE, DRAIN, SOURCE 3가지로 구성되어 있다. 각각 BASE, COLLECTER, EMITTER에 상응하며 GATE부분의 전류가 0A로 OPEN상태인게 특징이다. 구조는 아래와 같은 그림으로 되어있다.
특성그래프는 아래와 같이 그려지며, Saturation을 Triode라 한다. 또한 활동영역과 차단영역 등을 BJT와 비교한 표가 아래에 있다.
등가 모형으로는 위와 같이 두 모델이 존재한다. 이때 Gm, Id를 각각 식으로 표현하면 아래와 같이 나온다.

③ 능동소자부하를 가진 고이득 MOSFET 증폭기
고이득 증폭기를 하기 위해서, 여러 단의 낮은 이득 증폭기의 직렬연결을 할 수 있지만 각 단의 위상천이에 의한 불안정동작이 많기 때문에 작은 숫자의 증폭단을 사용하는 것이 바람직하다. 즉 높은 임피던스 가진 전류원을 직접부하로 사용하는 것이 바람직하다.

참고 자료

대학전자회로실험 청문각 (신인철,어진우,최진규,이승훈 지음)

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