MOSFET I-V Characteristics 예비보고서

소개글

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목차

1. MOSFET 동작 원리
2. 전압 조건에 따른 MOSFET 동작 영역
3. 참고 문헌 및 출처

본문내용

MOSFET이란 Metal-Oxide-Semiconductor의 구조를 같는 Field Effect Transitor로, 위와 같은 구조를 가진다. BJT가 베이스, 컬렉터, 에미터로 이루어진 것과 같이, 게이트, 소스, 드레인으로 나누어져 있다. BJT의 베이스와 다르게 맨 위의 Gate, 그 아래에는 Gate와 semiconductor channel을 전기적으로 분리하기 위한 oxide층이 있다.
즉, BJT의 BASE와는 다르게 이상적으로는 Gate와 channel 사이에는 전류가 흐르지 않는다.
이 때, Gate에 전압을 걸어주면 oxide 아래의 semiconductor에는 전기장을 가해줄 수 있게 되고, 이 때 semiconductor에는 전자나 정공이 흐를 수 있는 channel이 열리거나 닫힐 수 있게 된다.
위의 그림을 보면 semiconductor는 세 부분으로 나누어지는데, Source, Drain 아래는 n+, 가운데는 p라고 적혀 있다.

참고 자료

김형진 교수님 전자회로1 MOSFET PPT자료
티스토리(https://e-funny.tistory.com/)
정보통신기술용어해설(http://www.ktword.co.kr/index.php)
위키백과(https://ko.wikipedia.org/wiki/)
네이버 블로그(http://blog.naver.com/PostList.nhn?blogId=richard2828)