[A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

목차

1. 목적

2. 실험장비

3. 실험순서
1) 다이오드 검사
2) 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선
3) 역방향 바이어스
4) DC 저항
5) AC 저항
6) 문턱전압

4. 실험결과

5. 토의 및 고찰

본문내용

실험결과

1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커 개방회로와 근접하다.

2. 다이오드의 순방향 바이오스에서 저항값이 낮으며 문턱전압을 넘기는 순간 전류가 급격하게 증가하며 역방향 바이오스에서 저항값이 매우 높으며 전류가 흐르는 것을 방해한다.

3. 순방향 바이오스에서 Si과 Ge은 회로 내부의 저항에 영향을 받아 이론적인 특성 곡선과 차이를 보인다.

4. 순방향 바이오스에서 Si 다이오드는 Ge 다이오드에 비해 조금의 전압변화에도 더 많은 전류가 흐르기 때문에 Si 다이오드가 더 이상적인 다이오드에 적합하다.

5. DC의 전류가 흐를수록 다수 캐리어의 흐름이 증가하여 다이오드의 저항 값이 작아진다.

<중 략>

토의 및 고찰

1. 다이오드 활용 전에 DMM의 다이오드 검사모드를 활용하여, 먼저 다이오드의 방향 및 고장여부를 확인하지 않으면 실험 중에 생기는 오작동의 원인을 파악하는 데 시간이 걸린다.

2. 실험 시 브레드보드의 사용법을 숙지하지 않아 브레드보드의 각 단락은 연결되어 있다는 점만 가지고 아무렇게나 연결했는데 다이오드나 저항을 연결할 때 다리 부분을 각기 다른 단락에 연결하지 않으면 정 정상적으로 연결되지 않는 점을 알게 되었다.

참고 자료

없음