4,5주차 a-Si TFT, Poly Si TFT, Oxide TFT 측정 및 Optical band gap (정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

목차

1. 실험 목표
2. 실험 장비
3. 실험 방법 및 순서
4. 실험 결과
5. 실험 고찰
6. 추가 고찰
7. Reference

본문내용

1. 실험 목표
a-Si, Poly-Si, Oxide TFT 의 I-V 특성을 직접 측정하여, Active layer 에 따른 특성을 분석해본다. 각 물질의 투과도를 알아보고 반도체의 특성에 중요한 Optical band gap 을 측정한다.

2. 실험 장비
1. TFTs sample: a-Si TFT, Poly-Si TFT, IGZO TFT 와 같이 다양한 종류가 있으며, 실험실에서 직접 디자인된 다양한 Mask pattern 을 가지고 있다. Transmittance 를 측정하기 위한 Active layer sample 은 따로 사용한다.
2. Test pattern: Haptic AMOLED, Vega Iron 2 의 위쪽 부분에 Probe 를 대서 전류를 측정할 수 있는 부분이다. 일반적인 Transistor 의 배선 폭이 너무 좁기 때문에, 배선으로부터 따로 넓은 부분으로 회로를 연장시켜 놓은 Pad 형태의 범위를 지칭한다.
2. Probe station: Probe 를 각 Electrical element 의 terminal 쪽에 Contact 하여 전류와 전압을 조절하고 측정할 수 있는 곳이다. 특히 미세한 패턴 때문에 일반적인 방법으로는 Contact 를 할 수 없는 정밀 공정에서 전압/전류 특성을 볼 때 필요하다.
3. UV-Vis spectrometer: 각 TFT Sample 파장에 따른 투과도를 측정하여 Optical band gap 을 구할 수 있는 장비이다.
4. Poly glove: 맨손에는 유기물이 많이 묻어있으므로, 이들이 TFT 에 영향을 주지 않게 하기 위해 비닐장갑을 사용해야 한다.
5. Conputer (Leopard, Sigmaplot): 실험값을 Plot 하기 위해 사용한다.

3 실험 방법 및 순서
i.TFT 샘플과 실제 패널의 특성 측정
1. Light box 의 불을 켠 뒤 Dark Box 의 문을 열고, Sample 을 chunk 위에 올린다.

참고 자료

타우플롯 https://blog.naver.com/namgoocha/220183186898
TFT 의 특성 변화: TFT 공학
contents.kocw.net/KOCW/document/2015/sungkyunkwan/leejunsin/3.p
df
https://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:lMB5FvYFu
2MJ:https://eti.pg.edu.pl/documents/176568/87a4cc45-ad17-4da3-
8e94-f015358b0ec7+&cd=1&hl=ko&ct=clnk&gl=kr
기타 문헌: OLED 이론(권장혁), 디스플레이회로 –MOS transistor 의
동작(이승우)
TFT 의 특성 비교
http://www.materialsnet.com.tw/DocView.aspx?id=6543
Tauc plot 문헌값 및 관련 참조 논문:[ Interference-Free Determination
of the Optical Absorption Coefficient and the Optical Gap of Amorphous
Silicon Thin Films(Hishikawa)], [Optical bandgap of ultra-thin amorphous
silicon films deposited on crystalline silicon(Yaser Abdulraheem)]
Poly Si 특성, 그림 https://www.quora.com/What-is-the-poly-layer-in-asemiconductor-area
Light shielding
http://www.blazedisplay.com/info/tft-lcd-displays-tft-device-52222.html