전자전기컴퓨터설계실험3 - 결과레포트 - 실험09 - MOSFET(Basic MOSFET Circuit) (A+)

소개글

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목차

0. Abstract (초록)

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)
가. Experimental data to obtain and Order of experiment
나. Materials (Equipment, Devices) of this Lab

3. Results of this Lab (실험결과)
가. Results of Lab 1.
나. Results of Lab 2.

4. Discussion (토론)
가. Data analysis (compare results, reasons of error)
나. Suggestions

5. Conclusion (결론)
가. Summarize experiment contents & purpose of this Lab
나. Studies from this Lab

본문내용

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
MOSFET의 동작원리를 이해해 MOSFET의 기본적인 동작을 이해하고, 회로를 설계할 수 있다.

나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(1) MOSFET
(가) MOSFET이란?
MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor의 약자이다. MOSFET에는 여러 타입이 있는데 그림 1은 Enhancement Type N-channel MOSFET을 나타낸 것이다. MOSFET은 대부분 Enhancement type N-channel을 사용한다.

위의 그림에서 MOSFET의 구조를 알 수 있는데 아래에 p-type의 Substrate가 있고 이는 single-crystal silicon wafer로 이루어져 있다. 그리고 2개의 n-type로 아주 높은 농도로 Doping되어 있는 Source와 Drain이 Substrate 위에 생성되어 있다. 얇은 Silicon Dioxide(SiO2)가 Substrate를 덮고 있다. (대략 1nm ~ 10nm) 그리고 Metal이 Oxide층 위에 덮고 이를 Gate라고 한다. 이때 Source와 Drain 사이의 간격을 Channel Region이라고 하고 길이는 보통 0.03μm ~ 1μm이다. 따라서 MOSFET은 3개의 terminal device로 볼 수 있는데 Gate, Source, Drain을 가진 장치라고 볼 수 있다.
MOSFET에서 주로 N-channel MOSFET을 사용하는데 그 이유는 hole과 electron의 mobility차이 때문이다. 일반적으로 electron이 hole보다 mobility가 크기 때문에 P-channel MOSFET을 사용했을 때보다 N-channel MOSFET을 사용했을 때 고속의 동작을 얻을 수 있다.

참고 자료

Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016), p303-p316
“정보통신기술용어해설" http://www.ktword.co.kr/index.php
실험 교안 ppt파일