전자응용실험 9장 결과 [MOSFET 기판 전류 측정]

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본문내용

5. 실험 방법
(1) 다음 그림처럼 MOSFET이 바이어스되게 연결한다. 각 단자들은 다음 조건들을 만족하도록 한다. 드레인 전압은 반도체 소자 분석기의 SMU1을 사용하여 4V, 5V로 변화시킨다(VAR2). 게이트 전압은 반도체 소자 분석기의 SMU2를 사용하여 0V ～ 5V로 변화시키는데, 스텝 크기는 50mV정도로 한다(VAR1). 소스는 접지하고 그 전류를 측정한다. 기판은 접지시킨다.
(2) Ib - Vgs 특성 곡선을 측정한다.

<중 략>

비고 및 고찰

이번 실험은 드레인 전압과 게이트 전압에 따라 기판전류가 어떻게 나타나는지 알아보는 실험이었다. 대체로 드레인 전압이 증가하면 기판전류가 증가하고, 게이트 전압이 증가하면 마찬가지로 기판전류가 증가하게 된다. 실험 도중, 드레인 전압(VARB)의 STEP을 2로 했을 때는 만족스러운 그래프를 얻지 못하였지만, STEP을 넉넉하게 3으로 했을 때 책에서와 비슷한 그래프를 얻을 수 있었다.

참고 자료

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