A+ 기계공학 응용실험 MEMS 실험 결과 레포트 (결과 보고서)

소개글

지방거점 국립대학교 기계공학부
기계공학 응용실험 A+
MEMS 실험 결과레포트

목차

1. 실험 이름

2. 실험 목적

3. 실험 결과 분석 및 검토
① 실험이 진행된 순서와 조건을 기록하고 각 공정의 의미를 쓰시오.
② 감광막의 코팅을 위하여 사용되는 장비에 대하여 설명하고, 감광막의 두께, 회전 속도, 회전 시간에 대한 상호 관계 그래프를 그리고 설명하시오.
③ 금속 증착에 사용되는 장비에 대하여 조사하고, 각각의 차이점에 대하여 설명하시오.
④ 음성감광막과 양성감광막의 차이를 설명하고, 노광 후 최종적으로 형성된 패턴을 패턴은 어떤 차이점을 보이는지 설명하시오.

4. 기타 특이사항 및 소감

본문내용

1. 실험 이름 : MEMS 실험

2. 실험 목적
- MEMS 미세 가공 기술 중 하나인 photolithography 기술을 이용하여 반도체 표면에 일정한 모양의 패턴을 새겨 넣음으로서 일괄공정의 제작방법을 이해한다.
- 이방성 또는 등방성 식각의 실험을 통해 제작 공정 순서와 각각의 공정 특성을 파악한다.

3. 실험 결과 분석 및 검토
①실험이 진행된 순서와 조건을 기록하고 각 공정의 의미를 쓰시오.
ㅁ 양성 감광제 사용
1. surface preparation
- 크롬이 증착된 실리콘 웨이퍼의 primary flat 위치를 맞춘 뒤 다이아몬드 펜으로 웨이퍼를 컷팅한다.
2. spin coating
- 웨이퍼에 감광제를 코팅하는 과정이다.
(1) 진공으로 웨이퍼를 고정시킨다.
(2) HDMS 용액을 기판에 뿌리고 3000rpm으로 40초동안 코팅시킨다. (HD<S용액은 기판과 포토 레지스트를 고정하는 역할이다)
(3) 포토 레지스트를 웨이퍼 위에 도포 후 3000rpm, 40초동안 스핀코팅을 진행한다.
3. soft bake
- 핫 플레이트를 사용하여 섭씨 110도에서 1분동안 초벌구이를 한다.
- 소프트 베이킹 완료 후 핫 플레이트에서 내려놔서 식혔는데, 보통 소프트 베이킹 후 바로 차가운데에 두지 않는다. ( 실리콘 웨이퍼와 크롬, 포토 레지스트의 열팽창 계수가 달라서 기판에서 포토 레지스트가 일어나서 떨어질 수 있기 때문이다.) 하지만 작은 크기의 패턴이 아니고 HDMS 용액을 사용해서 큰 문제는 없을 것이라 판단하고 진행했다.
4. alighnment and exposure
- 마스크와 기판을 잘 정렬하고 감광막에 자외선을 노출시켜 기판에 패턴을 형성하는 과정이다.
(1) mask alighner stage 위에 기판을 올리고 substrate 기능을 이용하여 진공으로 고정시킨다.

참고 자료

기계공학 응용실험 | 전남대학교 기계공학부 | 2019.09.